| 摘要 |
<p>Bei einem Verfahren zur vertikalen Integration von aktiven Schaltungsebenen wird zunächst ein erstes Substrat (4) mit zumindest einer integrierten Schaltung in einer ersten Hauptoberfläche desselben und mit Anschlußflächen (8) für die integrierte Schaltung auf der ersten Hauptoberfläche desselben und mit Außenanschlußflächen (10) bereitgestellt. Ein zweites Substrat (2) mit zumindest einer integrierten Schaltung in einer ersten Hauptoberfläche desselben und mit Anschlußflächen (6) für die integrierte Schaltung auf der ersten Hauptoberfläche desselben wird bereitgestellt. Die ersten Hauptoberflächen des ersten und des zweiten Substrats (4, 2) werden derart verbunden, daß die Anschlußflächen (8) des ersten Substrats (4) denen (6) des zweiten Substrats (2) elektrisch leitfähig verbunden sind. Anschließend wird das zweite Substrat (2) gedünnt, und die Außenanschlußflächen (10) werden freigelegt. Die so hergestellten Chips können mit standardmäßigen Verfahren weiterverarbeitet werden.</p> |
