| 主权项 |
1.一种含气缝隙区间隙壁金氧半元件的制造方法,包括下列步骤:(a)提供一基底,在该基底表面依序形成一闸氧化层、一复晶矽层;(b)定义该复晶矽层与该闸氧化层之图案,形成一闸极区;(c)在该基底与该闸极区表面形成一氮化矽层与一氧化层;(d)以非等向性蚀刻去除该氧化层与该氮化矽层,在该闸极区侧壁形成一L型之氮化矽层与一第一间隙壁;(e)去除该第一间隙壁;(f)对该基底进行离子植入,在L型之氮化矽层下方之该基底形成一延伸轻掺杂汲极区与在其余之该基底中形成一轻掺杂汲极区;(g)在该L型氮化矽层侧壁形成一第二间隙壁,并使该第二间隙壁覆盖该L型氮化矽层;(h)以该第二间隙壁与该闸极区为罩幕,对该基底进行离子植入,形成源极/汲极区;以及(i)去除该L型氮化矽层,形成一L型气缝隙区,完成该含气缝隙区间隙壁金氧半元件。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该步骤(a)中可在该复晶矽层表面形成一反反射层。3.如申请专利范围第2项所述之制造方法,其中该步骤(a)中该反反射层为矽氧氮化合物。4.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该步骤(c)中之该氮化矽层系以化学气相沈积法形成。5.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该步骤(c)中之该氧化层系以化学气相沈积法形成之二氧化矽层。6.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该步骤(f)中之该延伸轻掺杂汲极区中离子植入深度较轻掺杂汲极区为浅。7.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该步骤(g)中之该第二间隙壁系为二氧化矽。8.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该步骤(i)中系使用热磷酸去除该L型氮化矽层。9.一种含气缝隙区间隙壁金氧半元件的结构,包括:一基底;一闸极区,且在该闸极区与该基底之间有一闸氧化层;一轻掺杂汲极区,位于该基底中靠近该闸极区之两侧;一源极/汲极区,位于该基底中;一间隙壁,位于该闸极区侧壁,但未与该闸极区相连接;以及一L型气缝隙区,位于该间隙壁与该闸极区之间与该间隙壁与该基底之间。10.如申请专利范围第9项所述之结构,其中该轻掺杂汲极区更包括一延伸轻掺杂汲极区。11.如申请专利范围第9项所述之结构,其中该延伸轻掺杂汲极区位于靠近该闸极区下方该基底之两侧。12.如申请专利范围第9项所述之结构,其中该延伸轻掺杂汲极区掺杂之深度较轻掺杂汲极区为浅。图式简单说明:第一图是习知一种金氧半元件的剖面结构示意图;第二图是习知一种含气缝隙区间隙壁金氧半元件的剖面结构示意图;以及第三图A-第三图G是依照本发明一较佳实施例,一种含气缝隙区间隙壁金氧半元件的制造剖面流程示意图。 |
