| 主权项 |
1.一种半导体结构之平坦化方法,该半导体结构具有一高纵横比地势之一第一表面区域以及一具有一低纵横比地势之一第二表面区域,高及低纵横比地势在基体表面上具不同高度,该方法包含下列步骤:在基体之第一及第二表面区域上沈积一可流动性材料,材料之一部分填补高纵横比地势中之间隙,在高纵横比地势上形成一实际平坦之表面;以及在所沈积之可流动性材料上形成一掺杂层,该掺杂层形成在高纵横比及低纵横比区域上,低纵横比区域上之掺杂层上表面部分高于所沈积之可流动性材料之上表面部分;以及去除在第一及第二表面部分上之掺杂层的上表面部分形成一在高及低纵横比地势上具有实际平坦表面之掺杂层。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该掺杂层之形成步骤含有掺磷玻璃之化学蒸气沈积步骤。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该可流动性材料之沈积步骤含有这些可流动性材料之旋涂沈积步骤。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该可流动性材料之沈积步骤含有利用气体沈积之步骤。5.如申请专利范围第1至3项中任一项之方法,其中该可流动性材料之沈积步骤含有一可流动性氧化物之沈积步骤。6.如申请专利范围第3项之方法,其中该旋涂沈积步骤含有氢矽倍半烷(HYDROGENSILSESQUIOXANE)玻璃之旋涂沈积步骤。7.如申请专利范围第1至3项中任一项之方法,其中该流动性材料之沈积步骤包含一可流动性非有机材料之沈积步骤。8.一种在相邻闸极电极间之间隙的填补方法,该闸极电极系形成在一半导体结构之闸极电极表面区域中,包含下列步骤:在该结构上沈积一可流动性材料,该材料之第一部分在闸极电极间流动加以填补间隙,且该材料之第二部分沈积在闸极电极顶部上及间隙上,形成一在闸极电极上具有实际平坦表面之层膜;在所沈积之可流动性材料上形成一掺杂层;以及去除掺杂层上部分,形成一在半导体结构之闸极电极表面区域上方具有一实际平坦表面之层膜。9.如申请专利范围第8项之方法,其中该掺杂层之形成步骤含有掺磷玻璃之化学蒸气沈积步骤。10.如申请专利范围第8项之方法,其中该可流动性之沈积步骤含有可流动材料之旋涂沈积步骤。11.如申请专利范围第10项之方法,其中该可流动性之沈积步骤含有利用气体沈积之步骤。12.如申请专利范围第10项之方法,其中该旋涂沈积步骤含有氢矽倍半烷(HYDROGENSILSESQUIOXANE)玻璃之沈积步骤。13.如申请专利范围第12项之方法,其中该掺杂层之形成步骤含有掺磷玻璃之化学蒸气沈积步骤。图式简单说明:第一图-第四图为根据本发明加以制造之半导体积体电路结构之横切面图;第一图表示配置在一半导体基体之高纵横比地势表面区域上之许多闸极电极,这区域与一低纵横比地势表面区域相邻;第二图表示第一图在一自我平坦化材料上完成旋涂后之结构,在闸极电极间流动加以填补间隙之这些材料的第一部分以及沈积在闸极电极顶部及间隙上,加以形成具有实际平坦表面层之这些材料的第二部分;第三图表示掺杂层沈积在自我平坦化材料上之后之结构;以及第四图表示掺杂层在高及低纵横比地势上加以平坦化之后之结构。 |
