发明名称 低温烧结高频电感陶瓷成分以及利用该成分制作陶瓷成品之方法
摘要 一种具有低温烧结与低介电系数特性的高频电感陶瓷材料成分,此陶瓷成分可以在800~1000℃、15~60分钟内达到97%以上的致密化。此高频电感陶瓷其组成包括20~80wt%硼矽酸玻璃与20~80wt%氧化物并可与有机溶剂、黏结剂、与塑化剂混合,利用刮刀成形制成生胚薄片,再经网印与叠压可与高导电性、低熔点金属如金、银、银-钯与铜共烧制成积层型晶片陶瓷电感。
申请公布号 TW393447 申请公布日期 2000.06.11
申请号 TW087104927 申请日期 1998.04.01
申请人 璟德电子工业股份有限公司 发明人 简朝和;林世昌
分类号 C04B35/01;C04B35/64 主分类号 C04B35/01
代理机构 代理人 洪澄文 台北巿信义路四段二七九号三楼
主权项 1.一种高频陶瓷电感成分,其组成包括: 60-40wt%硼矽酸玻璃;以及 40-60wt%氧化铝。2.如申请专利范围第1项所述之高 频陶瓷电感成分,其中该硼矽酸玻璃之主要成分包 括: 10-40wt%氧化硼;以及 90-60wt%氧化矽。3.如申请专利范围第2项所述之高 频陶瓷电感成分,其中该硼矽酸玻璃之成分更包括 : 0.1-4wt%氧化铝;以及 0.1-4wt%硷金族氧化物。4.一种陶瓷成品的制造方法 ,包括下列步骤: (a)将含有60-40wt%硼矽酸玻璃与40-60wt%氧化铝之陶瓷 粉末混合; (b)将混合后之陶瓷粉末制成一生胚;以及 (c)将该生胚于800-1000℃下,在空气气氛中进行致密 化。5.如申请专利范围第4项所述之制造方法,其中 步骤(a)该硼矽酸玻璃之主要成分包括: 10-40wt%氧化硼;以及 90-60wt%氧化矽。6.如申请专利范围第5项所述之制 造方法,其中步骤(a)该硼矽酸玻璃之成分更包括: 0.1-4wt%氧化铝;以及 0.1-4wt%硷金族氧化物。7.如申请专利范围第4项所 述之制造方法,其中步骤(c)所持续的时间约15-60分 钟。8.一种积层陶瓷电感成品的制造方法,包括下 列步骤: (a)将70-85wt%之陶瓷成分与30-15wt%之有机载体混合形 成一浆料;其中该陶瓷成分包括:60-40wt%硼矽酸玻璃 、40-60wt%氧化铝; (b)以一刮刀成形制程,将该浆料制成一生胚薄片; (c)在该生胚薄片上网印出导体线路; (d)将网印后之生胚薄片,经叠压制成一积层陶瓷生 胚;以及 (e)将该积层陶瓷生胚在空气气氛中进行脱脂与共 烧,以完成该积层陶瓷电感成品之致密化。9.如申 请专利范围第8项所述之制造方法,其中步骤(a)该 有机载体包括:有机溶剂、有机黏结剂、及有机塑 化剂。10.如申请专利范围第8项所述之制造方法, 其中步骤(a)该硼矽酸玻璃之主要成分包括: 10-40wt%氧化硼;以及 90-60wt%氧化矽。11.如申请专利范围第10项所述之制 造方法,其中步骤(a)该硼矽酸玻璃之成分更包括: 0.1-4wt%氧化铝;以及 0.1-4wt%硷金族氧化物。12.如申请专利范围第8项所 述之制造方法,其中步骤 (d)该叠压步骤的条件为60-100℃、1000-3000psi。13.如 申请专利范围第8项所述之制造方法,其中步骤(e) 该共烧步骤之温度约800-900℃。
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