发明名称 化学机械研磨装置
摘要 一种化学机械研磨装置,具有用以供给研浆的研浆供给装置,用以承接研浆的研磨垫,用以控制晶圆的旋转与升降,使晶圆得以与研磨垫及研浆接触而进行研磨的研磨头,以及,用以固定晶圆的晶片护圈。其中,在晶片护圈上有一个光发射装置,会对研浆发射感应光,以及一个感光装置,用以接收通过研浆的感应光,以判定研磨终点是否到达。
申请公布号 TW393381 申请公布日期 2000.06.11
申请号 TW088108618 申请日期 1999.05.26
申请人 联华电子股份有限公司 发明人 杨名声;陈学忠;林沧荣;吴俊元
分类号 B24B1/00;B24B37/04;B24B7/24 主分类号 B24B1/00
代理机构 代理人 詹铭文 台北巿罗斯福路二段一○○号七楼之一
主权项 1.一种化学机械研磨装置,用以对一晶圆进行一金 属镶嵌制程,包括: 一研浆供给装置,用以供给一研浆; 一研磨垫,用以承接该研浆; 一研磨头,用以控制该晶圆的旋转与升降,使该晶 圆得以与该研磨垫及该研浆接触而进行研磨,该研 磨头包括一晶片护圈,用以固定该晶圆; 一光发射装置,与该晶片护圈耦接,并对该研浆发 射一感应光; 一感光装置,与该晶片护圈耦接,用以接收经该研 浆反射的该感应光;以及 一光谱分析仪,耦接该感光装置,用以分析该研浆 的颜色变化情形。2.如申请专利范围第1项所述之 化学机械研磨装置,该金属镶嵌制程包括铜金属镶 嵌制程。3.如申请专利范围第1项所述之化学机械 研磨装置,该晶片护圈更包括一凹槽,该光发射装 置以及该感光装置系装设于该凹槽中。4.如申请 专利范围第1项所述之化学机械研磨装置,更包括 一监视器,耦接该感光装置,用以观测该研浆的颜 色变化情形。5.一种化学机械研磨装置,用以对一 晶圆进行一铜金属镶嵌制程,使该晶圆平坦化,该 化学机械研磨装置包括: 一研浆供给装置,用以供给一研浆; 一研磨垫,用以承接该研浆; 一研磨头,用以控制该晶圆的旋转与升降,使该晶 圆得以与该研磨垫及该研浆接触而进行研磨,该研 磨头包括一晶片护圈,用以固定该晶圆,该晶片护 圈具有一凹槽; 一光发射装置,置于该晶片护圈之该凹槽中,该光 发射装置对该研浆可发射一感应光; 一感光装置,亦置于该晶片护圈之该凹槽中,用以 接收经该研浆反射的该感应光; 一光谱分析仪,耦接该感光装置,用以分析该研浆 的颜色变化情形;以及 一监视器,焖接该光谱分析仪,用以观测该研浆的 颜色变化情形。6.一种化学机械研磨装置,用以对 一晶圆进行一金属镶嵌制程,包括: 一研浆供给装置,用以供给一研浆; 一晶片护圈,用以固定该晶圆; 一光发射装置,与该晶片护圈耦接,并对该研浆发 射一感应光; 一感光装置,与该晶片护圈耦接,用以接收经该研 浆反射的该感应光;以及 一光谱分析仪,耦接该感光装置,用以分析该研浆 的颜色变化。7.如申请专利范围第6项所述之化学 机械研磨装置,该金属镶嵌制程包括铜金属镶嵌制 程。8.如申请专利范围第6项所述之化学机械研磨 装置,该晶片护圈更包括一凹槽,该光发射装置以 及该感光装置系装设于该凹槽中。9.如申请专利 范围第6项所述之化学机械研磨装置,更包括一监 视器,耦接该感光装置,用以观测该研浆的颜色变 化情形。10.一种化学机械研磨装置,用以对一晶圆 进行一铜金属镶嵌制程,使该晶圆平坦化,该化学 机械研磨装置包括: 一研浆供给装置,用以供给一研浆; 一晶片护圈,用以固定该晶圆,该晶片护圈具有一 凹槽; 一光发射装置,置于该晶片护圈之该凹槽中,并对 该研浆发射一感应光; 一感光装置,置于该晶片护圈之该凹槽中,用以接 收经该研浆反射的该感应光; 一光谱分析仪,耦接该感光装置,用以分析该研浆 的颜色变化;以及 一监视器,耦接该光谱分析仪,用以观测该研浆的 颜色变化情形。图式简单说明: 第一图系绘示传统化学机械研磨机台之示意图; 第二图绘示依照本发明的实施例所制作的化学机 械研磨机台之示意图; 第三图绘示的是本发明中的研磨头的底视图; 第四图系绘示一个刚开始进行金属镶嵌制程的晶 圆的剖面图; 第五图绘示研磨到终点的晶圆的剖面图;以及 第六图绘示的是本发明中的研磨终点监视装置的 示意图。
地址 新竹科学工业园区新竹巿力行二路三号