| 发明名称 | 一种硫钝化Ⅲ－V族半导体材料表面的方法 | ||
| 摘要 | 一种用氯化硫钝化Ⅲ－Ⅴ族半导体材料及器件表面的方法，已有的钝化方法时间长而且要控制温度。本发明用氯化硫处理Ⅲ－Ⅴ族半导体材料及器件，只需将半导体预清洗后，室温下将其放入氯化硫溶液中数秒至几十秒钟，取出用无水有机溶剂、丙酮、水冲洗，氮气吹干即可，本方法室温即可，条件简单，处理时间快，工艺简捷，可作为Ⅲ－Ⅴ族半导体，如ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＳｂ等半导体材料或器件的表面钝化技术。 | ||
| 申请公布号 | CN1053063C | 申请公布日期 | 2000.05.31 |
| 申请号 | CN94112024.4 | 申请日期 | 1994.01.18 |
| 申请人 | 复旦大学 | 发明人 | 侯晓远;李喆深;蔡卫中;王为;丁训民;董国胜;王迅 |
| 分类号 | H01L21/31 | 主分类号 | H01L21/31 |
| 代理机构 | 复旦大学专利事务所 | 代理人 | 姚静芳 |
| 主权项 | 1、一种硫钝化III-V族半导体材料表面的方法，半导体材料用常规化学方法清洁处理后，然后用硫化物处理，其特征在于：将材料室温下放入氯化硫溶液中3-50秒，再用无水有机溶剂、丙酮、水冲洗然后氮气吹干。 | ||
| 地址 | 200433上海市邯郸路220号 | ||