| 发明名称 |
MAGNETORESISTIVE MEMORY WITH LOW CURRENT DENSITY |
| 摘要 |
Der Anmeldungsgegenstand betrifft einen magnetoresistiven Speicher, dessen Stromdichte in den Bit- und/oder Wortleitungen dadurch reduziert und somit Elektromigrationsprobleme vermieden werden, dass eine platzsparende Feldkonzentration beispielsweise durch Ferrit im Bereich um die eigentlichen Speicherzellen erreicht wird.
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| 申请公布号 |
WO0019440(A3) |
申请公布日期 |
2000.05.25 |
| 申请号 |
WO1999DE02983 |
申请日期 |
1999.09.17 |
| 申请人 |
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT;WEBER, WERNER;THEWES, ROLAND |
发明人 |
WEBER, WERNER;THEWES, ROLAND |
| 分类号 |
G11C11/14;G11C11/15;G11C11/16;H01L21/8246;H01L27/105;H01L27/22;H01L43/08;(IPC1-7):G11C11/16 |
主分类号 |
G11C11/14 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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