| 主权项 |
1.一种浅沟渠隔离区之制造方法,包括下列步骤:提供一基底,在该基底上形成一氧化矽层;将该氧化矽层图案化,并除去部分该基底,以在该基底形成一沟渠;在该沟渠内侧上,形成一衬氧化层;在该基底上,形成一绝缘层,并使之填满该沟渠;以化学机械研磨法去除部分该绝缘层,直至裸露该氧化矽层;以及去除该氧化矽层。2.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离区之制造方法,其中,形成该氧化矽层的方法包括热氧化法。3.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离区之制造方法,其中,形成该氧化矽层的方法包括常压化学气相沉积法。4.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离区之制造方法,其中,形成该氧化矽层的方法包括低压化学气相沉积法。5.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离区之制造方法,其中,该氧化矽层之厚度约为2000-5000A左右。6.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离区之制造方法,其中,该绝缘层之材质包括氧化矽。7.如申请专利范围第6项所述之浅沟渠隔离区之制造方法,其中,形成该绝缘层的方法包括常压化学气相沉积法。8.如申请专利范围第6项所述之浅沟渠隔离区之制造方法,其中,形成该绝缘层的方法包括高密度电浆化学气相沉积法。9.如申请专利范围第6项所述之浅沟渠隔离区之制造方法,其中,形成该绝缘层的方法包括反应气体源为O3/TEOS之化学气相沉积法。10.如申请专利范围第6项所述之浅沟渠隔离区之制造方法,其中,该绝缘层之厚度约为5000-10000A左右。11.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离区之制造方法,其中,该衬氧化层之厚度约为200-900A左右。12.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离区之制造方法,更包括以火炉回火法使该绝缘层密实化。13.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离区之制造方法,更包括以快速热制程法使该绝缘层密实化。14.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离区之制造方法,其中,去除该氧化矽层之方法包括湿式蚀刻法。15.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离区之制造方法,其中,以化学机械研磨法去除部分该氧化层之方法,系以时间模式控制。16.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离区之制造方法,其中,以化学机械研磨法去除部分该氧化层之方法,系以终点模式控制。图式简单说明:第一图A至第一图F显示习知一种浅沟渠隔离之制造流程剖面示意图;以及第二图A至第二图F显示本发明一较佳实施例之一种浅沟渠隔离之制造流程剖面示意图。 |
