| 摘要 |
Ein leistungsunabhängiger Halbleiterspeicherbaustein umfaßt EEPROM-Zellen (100) und eine Steuerschaltung (124), die ein erstes Signal (VER_EN) erzeugt, das einen Programmier/Lösch-Prüfzeitraum anzeigt, und ein zweites Signal (XA_CHG) erzeugt, das anzeigt, daß eine Zeilenadreßänderung unmittelbar bevorsteht. Das zweite Signal wird während eines Zeitintervalls von einem Zeitpunkt, zu dem die Überprüfung der letzten Zelle in einer ausgewählten Zeile beendet ist, bis zu einem anderen Zeitpunkt, zu dem die Zeilenadresse geändert wird, aktiviert. Ein Spannungsumschaltkreis (122) gibt selektiv entweder die erhöhte Spannung, die höher ist als eine Versorgungsspannung, oder eine vorgegebene Spannung, die niedriger ist als die erhöhte Spannung, als Reaktion auf die ersten und zweiten Signale aus. Der Spannungsumschaltkreis (122) liefert die vorgegebene Spannung zu Wortleitungstreibern (WD1-WDm), wenn das zweite Signal aktiviert wird, so daß die Wortleitung der ausgewählten Zeile direkt vor der Auswahl der nächsten Zeile auf die vorgegebene Spannung entladen wird. Dieses Wortleitungsansteuerungsschema sieht eine Verringerung in der Größe der Wortleitungstreiber (WD1-WDm) vor, was zu einer höheren Integration als der herkömmlichen führt.
|
