| 摘要 |
<p>Ein ferroelektrischer Transistor weist in einem Halbleitersubstrat (1) zwei Source-/Drain-Gebiete (2) und einen dazwischen angeordneten Kanalbereich (3) auf. An der Oberfläche des Kanalbereichs (3) ist eine metallische Zwischenschicht (4) angeordnet, die mit dem Halbleitersubstrat (1) eine Schottky-Diode bildet und an deren Oberfläche eine ferroelektrische Schicht (5) und eine Gateelektrode (6) angeordnet sind. Die Herstellung des ferroelektrischen Transistors erfolgt mit Schritten der Siliziumprozeßtechnik.</p> |
