发明名称 |
基于斯塔克效应的SOUP结构光电调制器及制作方法 |
摘要 |
一种基于斯塔克效应的SOUP结构光电调制器及制作方法,主要解决现有光电调制器中红外光易泄露,晶格失配和制作方法复杂的问题。光电调制器包括:衬底(1)、氧化下包络基座上的硅SOUP结构波导(2)、吸收区(3)、左电极(4)和右电极(5)。制作方法包括:注氧隔离、刻蚀硅波导、刻蚀SOUP结构、刻蚀量子阱、低压化学气相沉积和淀积电极。本发明通过氧化下包络基座上的硅SOUP结构以及晶格适配的量子阱和势垒层使光的损耗减小,吸收谱波长范围变大,同时,本发明通过低压化学气相沉积方法沉积薄膜使制备工艺简单,可用于制备中红外光电调制器。 |
申请公布号 |
CN105759468A |
申请公布日期 |
2016.07.13 |
申请号 |
CN201610124746.2 |
申请日期 |
2016.03.04 |
申请人 |
西安电子科技大学 |
发明人 |
张春福;韩根全;彭芮之;郝跃;张进城;冯倩 |
分类号 |
G02F1/03(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;B82Y30/00(2011.01)I |
主分类号 |
G02F1/03(2006.01)I |
代理机构 |
陕西电子工业专利中心 61205 |
代理人 |
田文英;王品华 |
主权项 |
一种基于斯塔克效应的SOUP结构光电调制器,包括:衬底(1)、氧化下包络基座上的硅SOUP结构波导(2)、吸收区(3)、左电极(4)和右电极(5);其特征在于:所述吸收区(3)由GeSn量子阱和SiGeSn势垒层横向交叠排列组成;所述量子阱采用Sn组分为0.9的GeSn单晶材料;所述势垒层采用Sn组分为0.15、Ge组分为0.75的单晶材料。 |
地址 |
710071 陕西省西安市太白南路2号 |