| 发明名称 | 辐射噪声抑制元件附加结构 | ||
| 摘要 | 一种辐射噪声抑制元件包括具有导体层的磁片,导体层粘结在电路板上的CPU的上侧。导体层位于磁片的表面上。磁片位于导体层和CPU之间。导体层通过一导体与电路板上的接地图形相连接地。 | ||
| 申请公布号 | CN1252683A | 申请公布日期 | 2000.05.10 |
| 申请号 | CN99121868.X | 申请日期 | 1999.10.21 |
| 申请人 | 株式会社村田制作所 | 发明人 | 内田胜之;杉谷昌美 |
| 分类号 | H05K9/00;G12B17/02 | 主分类号 | H05K9/00 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 姜丽楼 |
| 主权项 | 1、一种辐射噪声抑制元件附加结构，其特征在于，其包括一个辐射噪声抑制元件，该辐射噪声抑制元件包括磁片和导体层，使得该磁片基本上覆盖辐射噪声产生源并面对辐射噪声产生源，该导体层基本上覆盖磁片并接地。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||