| 主权项 |
1.一种薄膜型电子源,系属于一种具有依下部电极,绝缘层及上部电极之顺序层叠而成的构造,且在上述下部电极与上述上部电极之间,施加上述上部电极为形成正电压的极性之电压时,自上述上部电极的表面放出电子于真空中之薄膜型电子源,其特征为:上述下部电极系由:将阳极氧化可能的金属添加于A1中之A1合金所构成,上述绝缘层系由:将上述下部电极的表面予以阳极氧化之阳极氧化膜所构成,且在上述下部电极与上述上部电极之间,施加电场(产生上述电子放出的顺方向之10MV/cm的电场)时之顺方向二极体电流,对施加电场(逆方向之10MV/cm的电场)时之逆方向二极体电流的比,在对上述绝缘层的下部电极之障壁高度与对上述绝缘层的上部电极之障壁高度相等的情况下来予以换算时,将大于0.12。2.如申请专利范围第1项之薄膜型电子源,其中添加于上述下部电极之阳极氧化可能的金属为:由Nd,Zr,Ta,Ti,Nb及Hf群中选出的至少1种金属者。3.如申请专利范围第1项之薄膜型电子源,其中上述上部电极为:由Ir,Pt,Au,Ru,Rh,Al,Al合金,Ti,Cr,及导电性的ITO,ZnO,SnO2,IrO2及PdO群中选出的至少1种金属者。4.如申请专利范围第1项之薄膜型电子源,其中上述顺方向二极体电流对逆方向二极体电流的比为0.5以上。5.如申请专利范围第4项之薄膜型电子源,其中添加于上述下部电极之阳极氧化可能的金属为:由Nd,Zr,Ta,Ti,Nb及Hf群中选出的至少1种金属者。6.如申请专利范围第4项之薄膜型电子源,其中上述上部电极为:由Ir,Pt,Au,Ru,Rh,Al,Al合金,Ti,Cr,及导电性的ITO,ZnO,SnO2,IrO2及PdO群中选出的至少1种金属者。7.一种显示装置,其特征系具有:申请专利范围第1,2,3,4,5或6项之薄膜型电子源,及驱动上述薄膜型电子源之驱动电路,及以自上述薄膜型电子源放出的电子而激励发光之萤光面。8.如申请专利范围第7项之显示装置,其中上述驱动电路系于上述下部电极与上述上部电极之间施加正负的脉冲电压。9.如申请专利范围第7项之显示装置,其中设有上述薄膜型电子源的基板与设有上述萤光面的基板系以玻璃贴合着。10.一种显示装置,系属于一种具有:薄膜型电子源,及驱动上述薄膜型电子源的驱动电路,及以自上述薄膜型电子源放出的电子而激励发光的萤光面之显示装置,其特征为:上述薄膜型电子源系具有依下部电极,绝缘层及上部电极之顺序层叠而成的构造,并在上述下部电极与上述上部电极之间,施加上述上部电极为形成正电压的极性之电压时,自上述上部电极的表面放出电子于真空中,且上述下部电极系由:将阳极氧化可能的金属添加于Al中之Al合金所构成,上述绝缘层系由:将上述下部电极的表面予以阳极氧化之阳极氧化膜所构成,设有上述薄膜型电子源的基板与设有上述萤光面的基板系以玻璃贴合着,该贴合系于含有氧气的环境中将上述2个基板加热至350℃以上450℃以下者。11.如申请专利范围第10项之显示装置,其中上述驱动电路系于上述下部电极与上述上部电极之间施加正负的脉冲电压。图式简单说明:第一图系表示本发明之薄膜型电子源的动作状态之频带构造图。第二图系表示薄膜型电子源的动作原理说明图。第三图系表示阳极氧化的说明图。第四图系表示习知之薄膜型电子源的动作状态之频带构造图。第五图系表示本发明之实施例1的薄膜型电子源的制造工程剖面图。第六图系表示本发明之实施例1的薄膜型电子源的制造工程剖面图。第七图系表示本发明之实施例1的薄膜型电子源的制造工程剖面图。第八图系表示本发明之实施例1的薄膜型电子源的制造工程剖面图。第九图系表示本发明之实施例1中的比较例,在施以绝缘层的对称化处理前之薄膜型电子源的电流-电压特性图。第十图系表示本发明之实施例1之一薄膜型电子源的电流-电压特性图。第十一图系表示本发明之实施例1之另一薄膜型电子源的电流-电压特性图。第十二图系表示本发明之实施例2的显示装置之显示面板的制造工程图。第十三图系表示本发明之实施例2的显示装置之显示面板的制造工程图。第十四图系表示本发明之实施例2的显示装置之显示面板的制造工程图。第十五图系表示本发明之实施例2的显示装置之显示面板的制造工程图。第十六图系表示本发明之实施例2的显示装置之显示面板与驱动电路之结线图。第十七图系表示本发明之实施例2的显示装置之驱动电路的发生电压波形之一例图。第十八图系表示本发明之实施例2的显示装置之驱动电路的发生电压波形之一例图。 |
