| 主权项 |
1.一种去除氮化矽的蚀刻剂配方,用以作为形成一接触窗开口之用,该配方包括:一种氟基甲烷群;以及一氧化碳。2.如申请专利范围第1项所述之配方,其中该氟基甲烷群包括氟代甲烷。3.如申请专利范围第1项所述之配方,其中该氟基甲烷群包括二氟甲烷。4.如申请专利范围第1项所述之配方,其中该氟基甲烷群包括氟仿。5.如申请专利范围第1项所述之配方,其中该氟基甲烷群包括四氟代甲烷。6.一种形成接触窗开口的方法,应用在一半导体基底上,该半导体基底至少包括一闸极与一源极/汲极区,该闸极顶部具有一盖,侧壁上具有一间隙壁,一氧化层位于该半导体基底与该闸极上,该方法包括:以一第一蚀刻剂进行第一蚀刻步骤,蚀刻该氧化层,直到露出该闸极顶部之该盖止,以形成一深凹沟;以氟基甲烷群与一氧化碳之混合气体作为一第二蚀刻剂,进行第二蚀刻步骤,蚀刻位在该深凹沟底部之该闸极顶部之该盖,直到该第一接触窗开口底部曝露出该闸极表面,形成一接触窗开口,并形成一高分子薄膜于该接触窗开口底部之该闸极表面;以及以一第三蚀刻剂进行软蚀刻步骤,蚀刻该高分子薄膜,使该接触窗开口底部露出该闸极表面。7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中进行第一蚀刻步骤之该第一蚀刻剂包括八氟丁烯、一氧化碳、氩气、与氧气之混合气体。8.如申请专利范围第6项所述之方法,其中进行软蚀刻步骤之该第三蚀刻剂包括氟基甲烷群、一氧化碳、氩气、与氧气之混合气体。9.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该氟基甲烷群系选自氟代甲烷。10.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该氟基甲烷群系选自二氟甲烷。11.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该氟基甲烷群系选自氟仿。12.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该氟基甲烷群系选自四氟代甲烷。图式简单说明:第一图A至第一图C是习知在半导体基底中周围元件区之金属氧化物半导体电晶体上形成接触窗开口之剖面示意图;以及第二图A至第二图D是依照本发明一较佳实施例的一种去除含有氮化矽的盖,以形成在闸极上的接触窗开口之剖面示意图。 |
