| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft Halbleiterschalter, die in verschiedenen Varianten zum Schalten von Strömen eingesetzt werden. Solche Schalter werden für einige Schaltungen (I-Umrichter, Matrixumrichter) verwendet, z.B. bei Spannungspegeln bis hin zu mehreren tausend Volt Sperr- oder Blockierspannung. Die Aufgabe der Erfindung liegt darin, einen monolithischen Schalter, der nicht durch mehrere Bauelemente hybrid aufgebaut werden muss, zu schaffen und die statischen Durchlass- und Sperrverluste zu reduzieren. Vorgeschlagen wird dazu ein Halbleiterschalter aus einem undotierten oder nur sehr schwach dotierten Halbleiterkristall mit einem aktiven Bereich (1) und einem Randbereich (50, 51). Zumindest eine, insbesondere beide gegenüberliegenden Oberflächen des aktiven Bereichs (1) des Halbleiterschalters sind mit grossflächig verteilten, feinen Strukturen (10, 11, 12, 13, 14) versehen, die im wesentlichen gleich ausgebildet sind, wobei sie jeweils eine leitfähige Anschlussfläche (KA, KB) aufweisen, durch die Ladungsträger über die feinen Strukturen gesteuert (GA, GB) in den aktiven Bereich (1) des Halbleiterkristalls hinein bewegbar sind. Die Konzentration der Ladungsträger im aktiven Bereich (1) und damit der Einschaltzustand des Halbleiterschalters wird so gesteuert.</p> |
