半导体器件及其制造方法

摘要

提供一种制造半导体器件之方法，该器件有源区域之晶态硅膜形成于基板之绝缘表面上。方法包括下述步骤：在基板上形成第一非晶态硅膜；在成膜前后，选择性地导入促进结晶之催化剂元素；对该膜加热使之结晶化，在导入元素周围，其方向大致与基板表面平行；在晶态硅膜上形成绝缘薄膜，并将该膜及晶态硅膜部分去除，以沿结晶生长方向形成线状边界；在晶态硅膜上形成第二非晶态硅膜；及以加热或以激光束或强光照射，使之结晶化。

主权项

1.一种具有在基板的绝缘表面上形成的由晶态硅膜构成的有源区域的半导体器件，为形成所述有源区域，将促进结晶化的至少一种催化剂元素导入用于形成所述有源区域的第一非晶态硅膜，所述半导体器件的特征在于，藉助于加热使所述第一非晶态硅膜结晶生长出针状结晶或柱状结晶，并由所述针状结晶或柱状结晶使得用于形成所述有源区域的第二非晶态硅膜结晶化。