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发明名称 Semiconductor device including inversion preventing layers having a plurality of impurity concentration peaks in direction of depth and method of manufacturing the same
摘要
申请公布号 EP0402851(B1) 申请公布日期 2000.04.26
申请号 EP19900111087 申请日期 1990.06.12
申请人 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 发明人 TAGUCHI, MINORU
分类号 H01L21/331;H01L21/761;H01L21/762;H01L21/8249;H01L27/06;H01L29/732;H01L29/73;(IPC1-7):H01L21/76 主分类号 H01L21/331
代理机构 代理人
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