半导体发光元件

摘要

本发明系提供一种可增大发光量之半导体发光元件。本发明之解决手段，系至少设有n型贴合层3( cladinglayer)与活性层(active layer)14与p型贴合层5。对于活性层14以导入l×1016～5×1017cm-3浓度之锌。将活性层14厚度定为0.5～2.0μm。在被特定范围将锌包含于活性层14时，就可抑制深度发光亦即深度位准之发光，而可增加所需波长之发光量。

主权项

1.一种半导体发光元件,其系由具有放射光线所需之复数半导体层之半导体基体,与配置于上述半导体基体一方主面之阴电极,与配置于上述半导体基体他方主面之阳电极所构成者,其特征为;上述半导体基体为包含;以11016-51017cm-3浓度而含有锌(Zn),具有0.5-2.0m厚度之AlGaInP(铝,镓,铟,磷)半导体所构成之活性层(active layer),与邻接于上述活性层一方主面之n形AlGaInP(铝,镓,铟,磷)或AlInP(铝,铟,磷)半导体所构成之n形贴合层(cladding layer),与邻接配置于上述活性层之他方主面之p形之AlGaInP(铝,镓,铟,磷)或AlInP(铝,铟,磷)半导体所构成之p形贴合层(cladding layer)。2.根据申请专利范围第1项之半导体发光元件,其中上述n形贴合层系以81016-11018cm-3浓度含有导电形决定杂质,而具有0.5-1.5m厚度,上述p形贴合层系以51016-11018cm-3浓度含有导电形决定杂质,而具有0.5-1.5m厚度。3.一种半导体发光元件,其系由具有放射光线所需之复数半导体层之半导体基体,与配置于上述半导体基体一方主面之阴电极,与配置于上述半导体基体他方主面之阳电极所构成者,其特征为由;上述半导体基体为由;包含由11018-41018cm-3浓度导电形决定杂质,具有330-370m厚度之n形之GaAs(镓,砷)半导体所构成之基片(substrate),与邻接配置于上述基片,以11018-51018cm-3浓度导电形决定杂质,具有0.1-0.3m厚度之n形之GaAs(镓,砷)半导体所构成之缓冲层(buffer layer),与邻接配置于与上述缓冲层相邻接之主面相反侧主面,以81016-11018cm-3浓度导电形决定杂质,具有0.5-1.5m厚度之n形之AlGalnP(镓,砷,铟,磷)或AlInP(铝,铟,磷)半导体所构成之n形贴合层(cladding layer)与,邻接配置于与上述n形贴合层之上述缓冲层邻接之主面相反侧之主面,以11016-51017cm-3浓度包含锌(Zn),具有0.5-2.0m厚度之AlGaInP(铝,镓,铟,磷)半导体所构成之活性层(active layer),与邻接配置于与上述活性层之上述n形贴合层邻接之主面相反侧主面,与以5-1016-11018cm-3浓度包含导电形决定杂质,具有0.5-1.5m厚度之p形之AlGaInP(镓,砷,铟,磷)或AlInP(铝,铟,磷)半导体所构成之p形贴合层,与邻接配置于与上述p形贴合层之上述活性层相邻接之主面相反侧主面之一部分,以11018-11019cm-3浓度包含导电形决定杂质,具有0.05-0.25m厚度之AlGaInP(镓,砷,铟,磷)或半导体所构成之电流阻挡层(currenr_t blocking layer),与如覆盖似地配置上述p形贴合层之上述相反侧之主面之上述电流阻挡层不邻接之领域及上述电流阻挡层,以11018-51019cm-3浓度包含导电形决定杂质,具有5-15m厚度之p形AlGaAs(铝,镓,砷)半导体所构成之电流扩散层(current spreading layer),与邻接配置于与上述电流扩散层之上述电流阻挡层之主面与相反侧之主面,以11017-11018cm-3浓度包含导电形决定杂质,具有0.2-0.4m厚度之p形AlGaInP(铝,镓,铟,磷)半导体所构成之保护层,与邻接配置于与上述保护层之上述电流扩散层相邻接之主面相反侧之主面,以51018-11019cm-3浓度包含导电形决定杂质,具有0.05-0.15m厚度之p形GaAs(镓,砷)半导体所构成之接触层(contacying layer)所构成,上述阴电极系接触于上述基片,上述阳电极系接触于上述接触层。图式简单说明:第一图系表示先行技术半导体发光元件之剖面图。第二图系表示有关本发明实施例之半导体发光元件之剖面图。第三图系表示第一图先行技术之半导体发光元件之波长与发光强度关系之图。第四图系表示依据第二图本发明之半导体发光元件之波长与发光强度关系之图。