| 主权项 |
1.一种半导体晶片等之处理方法,系在密闭容器内 施行被乾燥媒体之洗涤处理至乾燥处理之一连串 处理,包括:多数片被乾燥媒体以垂直并排方式移 入收容于上述容器内,于施行洗涤处理阶段之水洗 处理后,供应温纯水于上述容器内之步骤; 对上述容器内至少保留在该温纯水水面以上之上 部空间供应有机溶剂之蒸气或雾之步骤; 于停止供应上述有机溶剂后,一边由容器底部抽吸 排放上述温纯水,一边从上部连续供应非活性气体 之步骤;及 于上述温纯水之抽吸排放作业完毕后,继续藉由上 述抽吸作业将容器内施予抽吸减压,使被乾燥媒体 乾燥之步骤; 其中,至少在从容器底部抽吸排放温纯水之步骤中 ,于温纯水之抽吸排放完毕之前施予控制,使容器 内之减压度保持在设定减压度为特征者。2.如申 请专利范围第1项之半导体晶片等之处理方法,其 中,对容器内供应有机溶剂之步骤中,系一边将容 器内进行抽吸排气,同时在上部空间充满有机溶剂 之时刻停止该有机溶剂之供应者。3.如申请专利 范围第1项之半导体晶片等之处理方法,其中,对容 器内供应温纯水时之水温系在30-65℃范围,将温纯 水抽吸排出容器外之抽吸排放作业完毕之前的容 器内设定减压度为-350--50mmHg范围者。4.如申请专 利范围第1项之半导体晶片等之处理方法,其中,容 器内减压度之保持系藉由非活性气体之供应速度 或温纯水之排放速度之改变进行流量控制而达成 者。5.如申请专利节围第1项之半导体晶片等之处 理方法,其中,容器内减压度之保持系藉由非活性 气体之供应速度及温纯水之排放速度维持一定之 流量控制而达成者。6.如申请专利范围第1项之半 导体晶片等之处理方法,其中,供应于至少容器上 部空间之有机溶剂蒸气或雾系在温纯水之水面凝 结而在该水面形成混合液层,另一方面,凝结在随 温纯水之抽吸排放而露出于下降之水面之被乾燥 媒体表面,与该表面之附着水进行混合置换,同时, 藉由容器内保持于一定之设定减压度及温纯水之 热能而使有机溶剂从上述混合液层再度蒸气化,该 有机溶剂之蒸气一边浮起于露出之被乾燥媒体之 周围,一边反复连续地在该被乾燥媒体表面进行凝 结者。7.一种半导体晶片等之处理方法,系在密闭 器内施行被乾燥媒体之洗涤处理至乾燥处理之一 连串处理,包括:多数片被乾燥媒体以垂直并排方 式移入收容于上述容器内,于洗涤处理至乾燥处理 之各处理阶段,至少在乾燥处理完毕之前,于开始 对该容器内连续供应非活性气体之状态下,进行洗 涤处理之水洗处理,然后对上述容器内供应温纯水 之步骤; 对上述容器内之至少浸透淹没被乾燥媒体之上述 温纯水水面以上之上部空间供应有机溶剂之蒸气 或雾的步骤; 于停止供应上述有机溶剂后,从容器底部抽吸排放 上述温纯水之步骤;及 于上述温纯水之抽吸排放完毕后,继续藉上述抽吸 操作将容器内施以抽吸减压,使被乾燥媒体乾燥之 步骤; 其中,至少在从容器底部抽吸排放温纯水之步骤中 ,于温纯水之抽吸排放完毕前施予控制,使容器内 之减压度保持在设定减压度为特征者。8.如申请 专利范围第7项之半导体晶片等之处理方法,其中, 对容器内供应有机溶剂之步骤中,系一边将容器内 进行抽吸排气,同时在上部空间充满有机溶剂之时 刻停止该有机溶剂之供应者。9.如申请专利范围 第7项之半导体晶片等之处理方法,其中,对容器内 供应温纯水时之水温系在30-65℃范围,将温纯水抽 吸排出容器外之抽吸排放作业完毕之前的容器内 设定减压度为-350--50mmHg范围者。10.如申请专利范 围第7项之半导体晶片等之处理方法,其中,容器内 减压度之保持系藉由非活性气体之供应速度或温 纯水之排放速度之改变进行流量控制而达成者。 11.如申请专利范围第7项之半导体晶片等之处理方 法,其中,容器内减压度之保持系藉由非活性气体 之供应速度及温纯水之排放速度维持一定之流量 控制而达成者。12.如申请专利范围第7项之半导体 晶片等之处理方法,其中,供应于至少容器上部空 间之有机溶剂蒸气或雾系在温纯水之水面凝结而 在该水面形成混合液层,另一方面,凝结在随温纯 水之抽吸排放而露出于下降之水面之被乾燥媒体 表面,与该表面之附着水进行混合置换,同时,藉由 容器内保持于一定之设定减压度及温纯水之热能 而使有机溶剂从上述混合液层再度蒸气化,该有机 溶剂之蒸气一边浮起于露出之被乾燥媒体之周围, 一边反复连续地在该被乾燥媒体表面进行凝结者 。13.一种半导体晶片等之处理装置,系供被乾燥媒 体在密闭容器内施行洗涤处理至乾燥处理之一连 串处理之装置,包括: 其大小至少可供多数片媒体以垂直并排方式移入 收容,在上部设置有开口而呈有底箱型,上部开口 开闭自如地设有密闭盖之容器; 连接于该容器之底部,可于洗涤处理之水洗处理完 毕后对该容器内供应温纯水至至少被乾燥媒体被 浸透淹没之水位为止之供液装置; 至少连接于该供液装置及上述容器之上部或该容 器之底部,俾由上述容器内抽吸排放温纯水之排液 装置; 连接于上述容器之上部,俾对容器内供应有机溶剂 之蒸气或雾之溶剂供应装置; 连接于上述容器之上部,俾对该容器内供应非活性 气体之气体供应装置; 装设于上述容器之上部,俾检测容器之减压度之检 测装置;及 连接设置于该检测装置及上述排液装置或气体供 应装置之间,至少在从容器底部抽吸排放温纯水之 处理阶段,于温纯水抽吸排放完毕之前,根据上述 检测装置所输出之现在减压度来调整上述排液装 置之排放速度或气体供应装置之供应速度,使容器 内之减压度保持于设定减压度之控制装置。14.如 申请专利范围第13项之半导体晶片等之处理装置, 其中,温纯水供应于容器内时之水温为30-65℃范围, 在温纯水抽吸排放至容器外之操作完毕前,容器内 之设定减压度-350--50mmHg之范围。15.一种半导体晶 片等之处理装置,系供被乾燥媒体在密闭容器内施 行洗涤处理至乾燥处理之一连串处理之装置,包括 : 其大小至少可供多数片被乾燥媒体以垂直并排方 式移入收容,上部设有开口而呈有底箱型,上部开 口开闭自如地设有密闭盖之容器; 连接于该容器之底部,于洗涤处理之水洗处理完毕 后,供温纯水供应于该容器内至至少被乾燥媒体被 浸透淹没之水位为止之供液装置; 至少连接于该供液装置及上述容器之上部或该容 器之底部,由上述容器内将温纯水抽吸排放之排液 装置; 连接于上述容器之上部,俾将有机溶剂之蒸气或雾 供应至该容器内之溶剂供应装置;及 连接于上述容器之上部,俾对该容器内供应非活性 气体之气体供应装置。图式简单说明: 第一图揭示实施本发明半导体晶片等之处理方法 之处理装置例概略图; 第二图为容器之纵剖面概略图; 第三图为抽吸排放温纯水之步骤中,在温纯水抽吸 排放结束之前,于容器内成立得以反复连续进行再 蒸气化作用之条件,使溶入温纯水中之有机溶剂朝 着露出于该温纯水水面之被乾燥媒体周围再度蒸 气化,而藉着附着水与有机溶剂之置换作用及产生 于混合液层以引导附着水流向温纯水水面之液流 作用等两种作用,使被乾燥媒体获得乾燥之原理的 重要部分放大概略图; 第四图为温纯水之抽吸排放步骤中,使容器内之减 压度P1保持于设定减压度P之控制装置例之控制方 块图; 第五图为第四图控制装置例之控制概略图; 第六图为温纯水之抽吸排放步骤中,使容器内之减 压度P1保持于设定减压度P之其他控制装置实施例 之控制概略图; 第七图为第六图控制装置例之控制概略图; 第八图为由洗涤处理至乾燥处理之一连串处理之 处理动作流程图; 第九图为在温纯水之抽吸排放步骤中,将容器内之 减压度P1控制管理于设定减压度P之动作流程图; 第十图为第九图之流程之时序图; 第十一图为由洗涤处理至乾燥处理之一连串处理 之其他处理动作实施例流程图; 第十二图为第十一图之流程之时序图; 第十三图为用以实施本发明半导体晶片等之处理 方法而其容器系构成内外双层构造之处理装置例 概略图。 |
