发明名称 PROCEDE DE REALISATION DE COMPOSANTS PASSIFS ET ACTIFS SUR UN MEME SUBSTRAT ISOLANT
摘要 L'invention concerne la réalisation d'une structure électronique comportant au moins un composant actif et au moins un composant ou élément passif sur un substrat support en matériau isolant. Un procédé caractéristique comprend les étapes suivantes : - réalisation du composant actif dans une couche superficielle en matériau semiconducteur d'un substrat initial comprenant une plaquette de matériau semiconducteur supportant ladite couche superficielle,- réalisation de zones d'isolation électrique aptes à isoler le composant ou élément passif du composant actif,- réalisation du composant ou élément passif sur et/ ou dans les zones d'isolation électrique,- préparation de surface de la face du substrat initial présentant la structure électronique pour rendre cette face compatible pour un collage par adhésion moléculaire avec un autre substrat,- réalisation du collage, l'autre substrat étant ledit substrat support en matériau isolant,- élimination de tout ou partie de la plaquette de matériau semiconducteur.
申请公布号 FR2784800(A1) 申请公布日期 2000.04.21
申请号 FR19980013136 申请日期 1998.10.20
申请人 COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE 发明人 JOLY JEAN PIERRE;ASPAR BERNARD;BIASSE BEATRICE;ZUSSY MARC
分类号 H01L21/762;H01L21/822;H01L21/84;(IPC1-7):H01L21/98 主分类号 H01L21/762
代理机构 代理人
主权项
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