| 发明名称 | 半导体衬底及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体衬底。该衬底包括在多孔层上形成的晶体缺陷较少的非多孔单晶层,并且提供制造该衬底的方法。制造衬底的方法包括在不包含硅型气体的气氛中,热处理多孔层的热处理步骤,和在多孔硅层上生长非多孔单晶硅层的步骤,其中,如此进行热处理,使腐蚀的硅厚度在2nm以下,并使由(热处理后多孔硅层表面的雾值)/(热处理前多孔硅层表面的雾值)定义的多孔硅层的雾值变化率r满足1≤r≤3.5的关系。 | ||
| 申请公布号 | CN1250944A | 申请公布日期 | 2000.04.19 |
| 申请号 | CN99122409.4 | 申请日期 | 1999.09.03 |
| 申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 佐藤信彦 |
| 分类号 | H01L21/00;H01L21/20;H01L21/324 | 主分类号 | H01L21/00 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体衬底的方法，该衬底包括位于多孔硅层上的非多孔单晶层，该方法在多孔硅层上形成非多孔单晶层的步骤之前包括：在不包含非多孔单晶层源气体的气氛中热处理多孔硅层的步骤，其中如下确定热处理的条件，即，使由(热处理后多孔硅层表面的雾值)/(热处理前多孔硅层表面的雾值)限定的热处理前后多孔硅层表面的雾值变化率r是在预定的范围。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||