发明名称 用于信息存储介质的玻璃陶瓷基片及其制造方法和信息存储介质盘
摘要 对应高速和高密度记录动向的、对于Ni-P电镀有良好粘附性的用于信息存储介质的玻璃陶瓷基片及其制造方法,和在玻璃陶瓷基片上Ni-P电镀形成信息存储介质被膜的信息存储介质盘。由结晶相分散于玻璃母体中的玻璃陶瓷构成用于信息存储介质的玻璃陶瓷基片,在玻璃陶瓷中结晶相的比例(结晶量)为50—70wt%,平均晶粒直径0.10—0.50μm的晶粒露出基片表面。杨氏模量=95—160GPa、比重=2.40—2.80、刚性比(杨氏模量/比重)=39—57GPa,基片表面各晶粒的表面微细结构是其体积的一半以上露出玻璃母体表面并固定。
申请公布号 CN1250034A 申请公布日期 2000.04.12
申请号 CN99122128.1 申请日期 1999.09.11
申请人 株式会社小原 发明人 后藤直雪
分类号 C03C10/00;C03C10/04;C03C10/14;C03C23/00;G11B5/62 主分类号 C03C10/00
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 邰红;杨丽琴
主权项 1.一种用于信息存储介质的玻璃陶瓷基片,由结晶相分散于玻璃母体中的玻璃陶瓷构成,其特征在于,在玻璃陶瓷中结晶相占有的比例(结晶量)为50~70wt%,平均晶粒直径为0.10~0.50μm的晶粒露出该基片表面。
地址 日本神奈川县