发明名称 Thin film magnetic field sensor structure having magneto-resistive multilayer system with spin dependent electron scattering
摘要 Der Dünnschichtenaufbau eines Sensors enthält ein Mehrschichtensystem mit erhöhtem magnetoresistiven Effekt, das eine Spinabhängigkeit der Elektronenstreuung an einer Grenzfläche (R1, R2) sowie diffuse Streuung von nicht-reflektierten Elektronen zeigt. Die spinabhängig reflektierende Grenzfläche (R1, R2) soll zwischen benachbarten Schichten (M1, Z bzw. M2, Z) aus einem magnetischen bzw. nicht-magnetischen Material liegen, wobei die Materialien aneinander angepaßte Gitterabmessungen aufweisen und nicht-mischbar sind. Die Schichten (M1, M2) aus magnetischem Material sind vorzugsweise in spinselektiv reflektierende und streuende Bereiche unterteilt. <IMAGE>
申请公布号 EP0993054(A2) 申请公布日期 2000.04.12
申请号 EP19990118468 申请日期 1999.09.17
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 VAN DEN BERG, HUGO, DR.;PERSAT, NATHALIE
分类号 H01F10/26;H01L43/08;G01R33/09;H01F10/08;H01F10/32;(IPC1-7):H01L41/08 主分类号 H01F10/26
代理机构 代理人
主权项
地址