| 主权项 |
1.一种气体流的纯化方法,关于纯化其所包含的至少一种杂质,其中,对该气体流进行以下步骤:(a)压缩该气体流至一超过大气压力之压力;(b)使该压缩气体流至少与包含至少一种金属过氧化物之材料粒子之第一床接触;以及(c)使步骤(b)所得之气体流至少与至少一种触媒之第二床接触。2.根据申请专利范围第1项之方法,其特征在于该第一床之粒子进一步包括至少一金属氧化物。3.根据申请专利范围第1或2项之方法,其特征在于该第一床中之粒子包括至少15%重量之金属过氧化物,而较佳至少25%重量之金属过氧化物。4.根据申请专利范围第1或2项之方法,其特征在于该第一床中之粒子包括至少两种选自过渡金属之金属氧化物。5.根据申请专利范围第1或2项之方法,其特征在于该第一床中之粒子至少由包括氧化铜、氧化锰与过氧化锰之混合物组成。6.根据申请专利范围第1或2项之方法,其特征在于至少步骤(b)系在大于或等于80℃,而较佳大于或等于150℃之温度下进行。7.根据申请专利范围第1或2项之方法,其特征在于至少步骤(b)系在大于或等于20℃,而较佳大于或等于50℃之温度下,于预先乾燥之气体流上进行。8.根据申请专利范围第1或2项之方法,其特征在于在步骤(a)中,该气体流系压缩至一3.105Pa至3.106Pa之压力,较佳至一3.105Pa至106Pa之压力。9.根据申请专利范围第1或2项之方法,其特征在于步骤(b)与(c)系于相同反应器中连续进行。10.根据申请专利范围第1或2项之方法,其特征在于步骤(c)后,包括一除去气体流中所含氧化或还原后杂质之步骤。11.根据申请专利范围第1或2项之方法,其特征在于步骤(c)后,进一步包括一低温蒸馏该气体流之步骤。12.根据申请专利范围第1或2项之方法,其特征在于进一步包括一藉由加热或藉由冷却调整该气体流温度之步骤。13.根据申请专利范围第1或2项之方法,其特征在于该气体流为空气,或一选自氮气、氦气、氩气与其混合物之气体流。14.根据申请专利范围第1或2项之方法,其特征在于进一步包括一回收至少一选自氮气、氦气、氧气与氩气产物之步骤。15.一种气体流的纯化装置,关于纯化其所包含的至少一种杂质,包括:-用以压缩该气体流至一超过大气压力之压力之装置,-至少一催化区域,包含至少一材料粒子之第一床,该材料包含至少一种金属过氧化物,以及至少一触媒之至少第二床,该触媒系用以氧化或还原该杂质,该第一床系位于该第二床上游,以及-至少一纯化区域,用以移除至少一些氧化或还原后杂质。16.根据申请专利范围第15项之装置,其特征在于进一步包括至少一低温蒸馏管柱。图式简单说明:第一图为根据本发明之氮气制备厂之概略图式。 |
