| 主权项 |
1.一种高压元件基底的制造方法,包括下列步骤:提供一基底;于该基底上依序形成一垫氧化层和一罩幕层;定义该罩幕层和该垫氧化层,用以暴露出该基底欲进行氧化的一第一区域;进行一热氧化步骤,使该第一区域之该基底形成一第一氧化层;移除该罩幕层,且进行一第一离子布植程序,在该垫氧化层下力之该基底中,形成一第一离子掺杂区;去除该第一氧化层,且形成一已定义的光阻层,用以暴露出该基底欲进行离子布値的一第二区域;进行一第二离子布植程序,在该第二区域之该基底中,形成一第二离子掺杂区;移除该已定义的光阻层,且在该基底上形成一共形的第二氧化层;进行一高温驱入与氧化步骤;去除该基底表面上全部的氧化层;以及在该基底的表面上形成一磊晶层。2.如申请专利范围第1项所述之高压元件基底的制造方法,其中该垫氧化层形成的方法包括热氧化法。3.如申请专利范围第1项所述之高压元件基底的制造方法,其中该垫氧化层的厚度约为400埃。4.如申请专利范围第1项所述之高压元件基底的制造方法,其中该罩幕层形成的方法包括化学气相沈积法。5.如申请专利范围第1项所述之高压元件基底的制造方法,其中该罩幕层的厚度约为1500埃。6.如申请专利范围第1项所述之高压元件基底的制造方法,其中该热氧化步骤包括湿式氧化法。7.如申请专利范围第1项所述之高压元件基底的制造方法,其中该第一氧化层的厚度约为11000埃。8.如申请专利范围第1项所述之高压元件基底的制造方法,其中移除该罩幕层的方法包括湿蚀刻法。9.如申请专利范围第1项所述之高压元件基底的制造方法,其中该第一离子布植程序包括以硼(B11)做为掺杂离子,离子植入的能量约为70KeV,且离子植入的剂量约为2.01015/cm2。10.如申请专利范围第1项所述之高压元件基底的制造方法,其中该第二离子布植程序包括以砷(As75)做为掺杂离子,离子植入的能量约为100KeV,且离子植入的剂量约为4.01014/cm2。11.如申请专利范围第1项所述之高压元件基底的制造方法,其中该第一离子布植程序与该第二离子布植程序所植入的离子电性相反。12.如申请专利范围第1项所述之高压元件基底的制造方法,其中该第二氧化层形成的方法包括常压化学气相沈积法。13.如申请专利范围第1项所述之高压元件基底的制造方法,其中该第二氧化层的厚度约为3000埃。14.如申请专利范围第1项所述之高压元件基底的制造方法,其中该高温驱入与氧化步骤,系用以使该第一离子掺杂区和该第二离子掺杂区上方形成一第三氧化层,且同时使该第一离子掺杂区和该第二离子掺杂区往该基底的内部扩散。15.如申请专利范围第14项所述之高压元件基底的制造方法,其中该第三氧化层系该第一离子掺杂区的该基底,与该第二离子掺杂区的该基底,经该高温驱入与氧化步骤后而形成。16.如申请专利范围第1项所述之高压元件基底的制造方法,其中形成该磊晶层更包括在该磊晶层中,掺杂与该第二离子掺杂区相同电性的离子。17.如申请专利范围第1项所述之高压元件基底的制造方法,其中该磊晶层的厚度约为19m。18.一种高压元件基底的结构,包括:一基底;一第一离子掺杂区,该第一离子掺杂区位于该基底表面的凸起处,且该第一离子掺杂区可做为高压元件制程之光罩的对准标记;一第二离子掺杂区,该第二离子掺杂区位于该基底表面的凹入处;以及一磊晶层,位于该基底的表面。19.如申请专利范围第18项所述之高压元件基底的结构,其中该第一离子掺杂区的离子布植程序包括以硼(B11)做为掺杂离子,离子植入的能量约为70KeV,且离子植入的剂量约为2.01015/cm2。20.如申请专利范围第18项所述之高压元件基底的结构,其中该第二离子掺杂区的离子布植程序包括以砷(As75)做为掺杂离子,离子植入的能量约为100KeV,且离子植入的剂量约为4.01014/cm2。21.如申请专利范围第18项所述之高压元件基底的结构,其中该第一离子掺杂区的离子与该第二离子掺杂区的离子的电性相反。22.如申请专利范围第18项所述之高压元件基底的结构,其中形成该磊晶层更包括在该磊晶层中,掺杂与该第二离子掺杂区相同电性的离子。23.如申请专利范围第18项所述之高压元件基底的结构,其中该磊晶层的厚度约为19m。图式简单说明:第一图A至第一图K系绘示高压元件基底的制造流程剖面图;以及第二图A至第二图I系绘示根据本发明之一较佳实施例,一种高压元件基底的制造流程剖面图。 |
