发明名称 Kondensator mit einem Hoch-e-Dielektrikum oder einem Ferro-elektrikum nach dem Fin-Stack-Prinzip und Herstellverfahren
摘要 Kondensator mit einem hoch-epsilon-dielektrischen oder ferroelektrischen Kondensatordielektrikum (9), dessen edelmetallhaltige Speicherelektrode mehrere Lamellen (6¶1¶) aufweist, die über eine Stützstruktur (7) miteinander und ggf. mit dem Träger verbunden sind. Die Stützstruktur kann an einer oder mehreren Außenflanken der Lamellen angeordnet sein, oder sie kann im Innern durch die Lamellen verlaufen. Die Herstellung kann beispielsweise durch Abscheiden einer Schichtenfolge mit alternierend niedriger und hoher Ätzrate (ggf. mit einer Ätzstopschicht im unteren Bereich), Ätzen zur Schichtstruktur, Bilden der Stützstruktur und selektives Entfernen der Schichten mit hoher Ätzrate erfolgen.
申请公布号 DE19842682(A1) 申请公布日期 2000.04.06
申请号 DE19981042682 申请日期 1998.09.17
申请人 SIEMENS AG 发明人 LANGE, GERRIT;SCHLOESSER, TILL;FRANOSCH, MARTIN;WENDT, HERMANN
分类号 H01L27/04;H01L21/822;H01L21/8242;H01L27/105;H01L27/108;(IPC1-7):H01L27/108;H01L21/283 主分类号 H01L27/04
代理机构 代理人
主权项
地址