发明名称 SEMICONDUCTOR MEMORY CELL AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
摘要 <p>Es wird ein Halbleiterbauelement mit wenigstens einer Metallelektrode (10), die Teil einer Speicherzelle zur lokal begrenzten Speicherung von elektrischer Ladung ist, und mit einer gegenüber der Metallelektrode (10) isolierten und elektrisch leitfähigen Verdrahtung (75) zum elektrischen Kontaktieren von einzelnen Bauelementen (45) des Halbleiterbauelements, vorgeschlagen. Das Halbleiterbauelement ist dadurch gekennzeichnet, daß die Metallelektrode (10) und die Verdrahtung (75) aus dem gleichen Material bestehen.</p>
申请公布号 WO2000019526(A1) 申请公布日期 2000.04.06
申请号 DE1999002760 申请日期 1999.09.01
申请人 发明人
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项
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