| 主权项 |
1.一种去除有机卤化合物之触媒,其包括氧化钛作为触媒组份,而且具有包括一组孔直径分布尖峰在0.01至0.05m范围之孔与其他组孔直径分布尖峰在0.1至0.8m范围之孔。2.如申请专利范围第1项之触媒,其中该总孔容积系由汞压固定法测量,其在0.2至0.6cc/g范围内,孔直径分布尖峰在0.01至0.05m范围之孔的孔容积占总孔容积10至60%,孔直径分布尖峰在0.1至0.8m范围之孔的孔容积占总孔容积10至60%。3.一种去除有机卤化合物之触媒,其包括氧化钛与钛-矽并合氧化物作为触媒组份,而且具有包括一组孔直径分布尖峰在0.01至0.05m范围之孔与其他组孔直径分布尖峰在0.8至4m范围之孔。4.如申请专利范围第1项之触媒,其中该总孔容积系由汞压固定法测量,其在0.2至0.6cc/g范围内,孔直径分布尖峰在0.01至0.05m范围之孔的孔容积占总孔容积20至60%,孔直径分布尖峰在0.8至4m范围之孔的孔容积占总孔容积10至50%。5.如申请专利范围第1至4项任一项之触媒,其另外包括氧化钒或氧化钨之一或二者作为触媒组份。6.一种制备去除有机卤化合物触媒之方法,其包括步骤:将一种易分解之物质与触媒先质混合,其中该易分解物质对触媒先质之混合比率在0.1至30重量%范围内;该易分解物质之均匀粒子直径为5至1,000m,分解温度为100至700℃,分解期间之热値为50卡/g或以下;该触媒先质包括氧化钛或一种可形成氧化钛物质之一或二者作为主要组份;以及烘烤所形成之混合物去除该易分解物质。7.一种去除有机卤化合物之方法,其包括使包含有机卤化合物废气与如申请专利范围第1至5项任一项所述触媒接触之步骤。图式简单说明:第一图显示实施例1-1所制得触媒1-A之孔直径分布。第二图显示实施例1-2所制得触媒1-B之孔直径分布。第三图显示实施例1-3所制得触媒1-C之孔直径分布。第四图显示实施例1-4所制得触媒1-D之孔直径分布。第五图显示实施例2-1所制得触媒2-A之孔直径分布。第六图显示实施例2-2所制得触媒2-B之孔直径分布。第七图显示实施例2-3所制得触媒2-C之孔直径分布。第八图显示实施例2-4所制得触媒2-D之孔直径分布。 |
