| 主权项 |
1.一种高压混合电路元件的制造方法,至少包括下列步骤:提供一基底,该基底包括一元件隔离区和一主动区,且该主动区中的该基底上已形成一第一氧化层;去除部份的该第一氧化层,以形成一第一主动区,其余的该主动区则为一第二主动区;同时于该第一主动区和该第二主动区中的该基底上,形成一第二氧化层;于该基底上形成一第一导电层,且覆盖该第二氧化层和该元件隔离区;于该第一导电层上形成一第三氧化层;定义该第三氧化层,以在该第一导电层上形成一第四氧化层;于该基底上形成一第二导电层,且覆盖该第四氧化层和该第一导电层;定义该第二导电层,且暴露出部份的该第四氧化层;以及定义该第一导电层,分别在该第一主动区和该第二主动区中的该基底上,形成一低压电晶体闸极和一高压电晶体闸极,且在该元件隔离区上形成一电容器。2.如申请专利范围第1项所述之高压混合电路元件的制造方法,其中该元件隔离区包括场氧化层。3.如申请专利范围第1项所述之高压混合电路元件的制造方法,其中去除部份的该第一氧化层的方法包括湿式蚀刻法。4.如申请专利范围第1项所述之高压混合电路元件的制造方法,其中该第一导电层包括多晶矽层。5.如申请专利范围第1项所述之高压混合电路元件的制造方法,其中形成该第三氧化层的方法包括热氧化法。6.如申请专利范围第1项所述之高压混合电路元件的制造方法,其中定义该第三氧化层的方法包括非等向性蚀刻法。7.如申请专利范围第1项所述之高压混合电路元件的制造方法,其中该第二导电层包括矽化钨层。8.如申请专利范围第1项所述之高压混合电路元件的制造方法,其中定义该第二导电层的方法包括非等向性蚀刻法。9.如申请专利范围第1项所述之高压混合电路元件的制造方法,其中定义该第一导电层的方法包括非等向性蚀刻法。10.一种高压混合电路元件的制造方法,至少包括下列步骤:提供一基底,该基底包括一元件隔离区、一第一主动区和一第二主动区;同时于该第一主动区和该第二主动区中的该基底上形成一第一氧化层,且该第二主动区中之该第一氧化层的厚度较该第一主动区中之该第一氧化层的厚度厚;于该基底上形成一第一导电层,且覆盖该第一氧化层和该元件隔离区;于该第一导电层上形成一第二氧化层;定义该第二氧化层,以在该第一导电层上形成一第三氧化层;于该基底上形成一第二导电层,且覆盖该第三氧化层和该第一导电层;定义该第二导电层,且暴露出部份的该第三氧化层;以及定义该第一导电层,分别在该第一主动区和该第二主动区中的该基底上,形成一低压电晶体闸极和一高压电晶体闸极,且在该元件隔离区上形成一电容器。11.如申请专利范围第1项所述之高压混合电路元件的制造方法,其中该元件隔离区包括场氧化层。12.如申请专利范围第10项所述之高压混合电路元件的制造方法,其中形成该第一氧化层的方法包括:于该第一主动区和该第二主动区中的该基底上形成一氧化层;去除该第一主动区中的该氧化层,以暴露出部份的该基底;以及进行一热氧化步骤,同时于该第一主动区和该第二主动区中的该基底上,形成该第一氧化层。13.如申请专利范围第12项所述之高压混合电路元件的制造方法,其中去除该第一主动区中的该氧化层的方法包括湿式蚀刻法。14.如申请专利范围第10项所述之高压混合电路元件的制造方法,其中该第一导电层包括多晶矽层。15.如申请专利范围第10项所述之高压混合电路元件的制造方法,其中形成该第二氧化层的方法包括热氧化法。16.如申请专利范围第10项所述之高压混合电路元件的制造方法,其中定义该第二氧化层的方法包括非等向性蚀刻法。17.如申请专利范围第10项所述之高压混合电路元件的制造方法,其中该第二导电层包括矽化钨层。18.如申请专利范围第10项所述之高压混合电路元件的制造方法,其中定义该第二导电层的方法包括非等向性蚀刻法。19.如申请专利范围第10项所述之高压混合电路元件的制造方法,其中定义该第一导电层的方法包括非等向性蚀刻法。图式简单说明:第一图A至第一图D系绘示习知一种混合电路元件之制造流程的剖面图;以及第二图A至第二图H系绘示根据本发明之一较佳实施例,一种高压混合电路元件之制造流程的剖面图。 |
