发明名称 极低温用蓄冷材及其所使用之冷冻机
摘要 本发明系由磁性蓄冷材粒体所成之极低温用蓄冷材,磁性蓄冷材粒体系将构成其之磁性蓄冷材粒体之中,对于磁性蓄冷材粒体施加最大加速度为300m/s2之单振动l×10^6时所破坏之粒子之比率为l重量%以下。这种极低温用蓄冷材系具有对于机械性振动或加速度具有优秀之机械性特性。冷冻机系具有将如上述之极低温用蓄冷材填充于蓄冷容器所构成之蓄冷器者。像这种冷冻机系可长期地发挥优秀之冷冻性能。
申请公布号 TW386107 申请公布日期 2000.04.01
申请号 TW085102070 申请日期 1996.02.23
申请人 东芝股份有限公司 发明人 冈村正巳;理尚行
分类号 C09K5/00;F25D31/00 主分类号 C09K5/00
代理机构 代理人 林志刚 台北巿南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种极低温用蓄冷材,系属于一种具备有由: 一般式:RMz (式中,R系表示由Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm及 Yb所选择之至少1种之稀土元素,M系表示由Ni,Co.Cu.Ag ,Al及Ru所选择之至少1种之金属元素,z系表示0.001-9. 0之范围之数)或,一般式:RRh (式中,R系表示Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm及Yb 所选择之1种稀土元素,M系表示Ni.Co.Cu,Ag,Al及Ru所选 择之至少1种金属元素),所表示包含稀土元素之金 属间化合物而形成之磁性蓄冷材粒体,而得以实现 70K以下极低温之极低温用蓄冷材,其特征为;构成 上述磁性蓄冷材粒体之磁性蓄冷材粒子之中,对于 上述磁性蓄冷材粒体施加最大加速度为300m/s2之单 振动1106次时所破坏之上述磁性蓄冷材粒子之比 率为1重量%以下。2.如申请专利范围第1项所述之 极低温用蓄冷材,其中上述磁性蓄冷材粒子系氮含 量为0.3重量%以下。3.如申请专利范围第1项所述之 极低温用蓄冷材,其中上述磁性蓄冷材粒子系碳含 量为0.1重量%以下。4.如申请专利范围第1项所述之 极低温用蓄冷材,其中将上述磁性蓄冷材粒子系由 L2/4A所表示之形状因子R超过1.5磁性蓄冷材粒子 之比率为5%以下。5.如申请专利范围第1项所述之 极低温用蓄冷材,其中上述磁性蓄冷材粒体系具有 上述磁性蓄冷材粒子之70重量%以上为0.01-3.0mm范围 之粒径。6.一种冷冻机,其系蓄冷器,与填充于上述 蓄冷容器之磁性蓄冷材粒体所成之极低温用蓄冷 材之极低温用蓄冷材,该磁性蓄冷材粒体系由: 一般式:RMz (式中,R系表示由Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm及 Yb所选择之至少1种之稀土元素,M系表示由Ni,Co,Cu,Ag ,Al及Ru所选择之至少1种之金属元素,z系表示0.001-9. 0之范围之数)或, 一般式:RRh (式中,R系表示Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm及Yb 所选择之1种稀土元素,M系表示Ni,Co,Cu,Ag,Al及Ru所选 择之至少1种金属元素), 所表示包含稀土元素之金属间化合物所成,而得以 实现70K以下极低温之极低温用蓄冷材,其特征为; 构成上述磁性蓄冷材粒体之磁性蓄冷材粒子之中, 具备对于上述磁性蓄冷材粒体施加最大加速度为 300m/s2之单振动1106次时具有所破坏之上述磁性蓄 冷材粒子之比率为1重量%以下之极低温用蓄冷材 。7.如申请专利范围第6项所述之冷冻机,其中上述 磁性蓄冷材粒子系氮含量为0.3重量%以下。8.如申 请专利范围第6项所述之冷冻机,其中上述磁性蓄 冷材粒子系碳含量为0.1重量%以下。9.如申请专利 范围第6项所述之冷冻机,其中将上述磁性蓄冷材 粒子系由L2/4A所表示之形状因子R超过1.5磁性蓄 冷材粒子之比率为5%以下。10.如申请专利范围第6 项所述之冷冻机,其中上述磁性蓄冷材粒体系具有 上述磁性蓄冷材粒子之70重量%以上为0.01-3.0mm范围 之粒径。11.如申请专利范围第6项之冷冻机,可用 于MRI装置。12.如申请专利范围第6项之冷冻机,可 用于低温泵。13.如申请专利范围第6项之冷冻机, 可用于磁浮超速列车。14.如申请专利范围第6项之 冷冻机,可用于磁场施加式单结晶拉上装置。图式 简单说明: 第一图系表示使用于本发明之磁性蓄冷材粒体之 可靠性评价试验之振动试验用容器一例之剖面图, 第二图系表示对于本发明一实施例之磁性蓄冷材 粒体之振动试验用容器之填充率与由于振动试验 所破坏粒子比率之关系之图, 第三图系由本发明一实施例所制作GM冷冻机之要 部构成之图, 第四图系表示本发明一实施例之超导体MRI装置之 概略构成之图, 第五图系表示本发明一实施例之磁浮超速列车之 要部概略构成之图, 第六图系本发明一实施例之低温泵概略构成之图, 第七图系本发明一实施例之磁场施加式单结晶拉 上装置之概略构成之图。
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