| 主权项 |
1.一种混合溅镀制作钛酸钡锶薄膜之方法,系混合 溅镀钛酸锶靶材与钛酸钡靶材,即藉由钛酸锶靶材 和钛酸钡靶材混合溅镀,沉积高介电系数的钛酸钡 锶薄膜,做为积体电路所需薄膜元件的电容绝缘层 ,其制程之参数为: 制程压力:110-3torr-510-1torr; 溅镀钛酸锶靶材功率:50瓦-350瓦; 溅镀钛酸钡靶材功率:50瓦-350瓦; 制程温度:室温-650℃; 当制程温度为室温时,退火温度为350℃-750℃。2.如 申请专利范围第1项所述之方法,其制程参数为: 制程压力:110-3torr-510-2torr; 溅镀钛酸锶靶材功率:140瓦-240瓦; 溅镀钛酸钡靶材功率:100瓦-180瓦; 制程温度:室温-650℃; 当制程温度为室温时,退火温度为350℃-750℃。3.一 种混合溅镀制作钛酸钡锶薄膜之装置,系包括一溅 镀机及真空系统设备,而该真空系统设备为一机械 帮浦10和冷冻帮浦11;其真空系统设备具有可抽至 高真空的能力,溅镀机内拥有两只独立的磁控溅镀 枪(12a,12b),可同时混合溅镀钛酸钡靶材和钛酸锶靶 材。4.如申请专利范围第3项所述之装置,其中溅镀 机内拥有两只以上的独立的磁控溅镀枪。图式简 单说明: 第一图为本发明混合溅镀制作钛酸钡锶薄膜之同 时混合溅镀钛酸铝靶材和钛酸钡靶材所使用的溅 镀机示意图; 第二图为该混合溅镀制作钛酸钡锶薄膜之方法及 其装置之量测钛酸钡锶薄膜介电常数,和漏电流的 膜层结构示意图; 第三图为该混合溅镀制作钛酸钡锶薄膜之方法及 其装置之使用双靶不同溅镀功率,所获得钛酸钡锶 薄膜的钡原子成份关系图; 第四图为该混合溅镀制作钛酸钡锶薄膜之方法及 其装置之钛酸钡锶薄膜的X光绕射图; 第五图为该混合溅镀制作钛酸钡锶薄膜之方法及 其装置之不同组成的钛酸钡锶薄膜,与介电常数的 关系图;以及 第六图为该混合溅镀制作钛酸钡锶薄膜之方法及 其装置之Ba0.43Sr0.57TiO3钛酸钡锶薄膜的漏电流图。 |
