| 主权项 |
1.一种半导体薄膜之制造方法,其特征系包含: 将原料气体供应给真空处理室之过程;及 藉由使用利用高频电力的施加而产生的高频感应 耦合电浆(ICP:Inductive Coupled Plasma)之电浆分解来分 解该被供应的原料气体,且藉由使用该被分解的原 料气体之化学气相沉积制程来将预定的半导体薄 膜形成于基板上之过程; 并且,控制该半导体薄膜形成时之该基板的加热温 度,而藉此来控制该被形成之半导体薄膜的结晶状 态。2.如申请专利范围第1项所记载之半导体薄膜 的制造方法,其中上述原料气体为含有矽之气体。 3.如申请专利范围第1项所记载之半导体薄膜的制 造方法,其中上述原料气体为在含有矽的气体中混 合氢之混合气体。4.如申请专利范围第1项所记载 之半导体薄膜的制造方法,其中将上述半导体薄膜 形成时之基板的加热温度设定于约50℃-550℃的范 围。5.如申请专利范围第1项所记载之半导体薄膜 的制造方法,其中将上述施加之高频电力的频率设 定于约50Hz-500MHz的范围。6.如申请专利范围第1项 所记载之半导体薄膜的制造方法,其中利用供以产 生上述高频感应耦合电浆的产生领域,或利用设置 于其近旁的磁场之机构来产生该高频感应耦合电 浆。7.如申请专利范围第6项所记载之半导体薄膜 的制造方法,其中产生上述磁场的机构为电磁铁线 圈。8.如申请专利范围第6项所记载之半导体薄膜 的制造方法,其中产生上述磁场的机构为具有预定 的磁束密度之永久磁铁。9.如申请专利范围第1项 所记载之半导体薄膜的制造方法,其中将上述半导 体薄膜形成时之上述高频感应耦合电浆的产生领 域之压力设定于约510-5Torr-210-2Torr的范围。10.如 申请专利范围第1项所记载之半导体薄膜的制造方 法,其中更包含: 至少测定上述基板的近旁之上述高频感应耦合电 浆的发光分谱光谱之过程;及 测定该被测定后的发光分光光谱之来自SiH分子的 发光峰値强度[SiH],来自Si原子的发光峰値强度[Si], 及来自H原子的发光峰値强度[H]之间的相对比([(Si] /[SiH]比及[H]/[SiH]比)之过程;及 调节预定的制程参数,而使该相对比能够至少满足 ([Si]/[SiH])>1.0及([H]/[SiH])>2.0的一方关系之过程。11. 如申请专利范围第10项所记载之半导体薄膜的制 造方法,其中上述调节所需之预定的制程参数至少 为上述高频感应耦合电浆之产生领域的压力,上述 原料气体的供给流量,该原料气体的供给流量的比 ,以及上述施加高频电力的値之其中之一。12.一种 半导体薄膜之制造装置,其特征系具备: 将原料气体供应给真空处理室之供给机构;及 藉由使用利用高频电力的施加而产生之高频感应 耦合电浆(ICP:Inductive Coupled Plasma)的电浆分解来分 解该被供应的原料气体,且藉由使用该被分解的原 料气体之化学气相沉积制程来将预定的半导体薄 膜形成于基板上之ICP机构;及 控制该化学气相沉积制程之该基板的加热温度之 基板温度控制机构; 并且,藉由该基板温度控制机构来控制该半导体薄 膜形成时之该基板的加热温度,而藉此来控制该被 形成之半导体薄膜的结晶状态。13.如申请专利范 围第12项所记载之半导体薄膜的制造装置,其中上 述原料气体为含有矽之气体。14.如申请专利范围 第12项所记载之半导体薄膜的制造装置,其中上述 原料气体为在含有矽的气体中混合氢之混合气体 。15.如申请专利范围第12项所记载之半导体薄膜 的制造装置,其中将上述半导体薄膜形成时之基板 的加热温度设定于约50℃-550℃的范围。16.如申请 专利范围第12项所记载之半导体薄膜的制造装置, 其中将上述施加之高频电力的频率设定于约50Hz- 500MHz的范围。17.如申请专利范围第12项所记载之 半导体薄膜的制造装置,其中更具备有:供以产生 上述高频感应耦合电浆的产生领域,或设置于其近 旁的磁场之机构。18.如申请专利范围第17项所记 载之半导体薄膜的制造装置,其中产生上述磁场的 机构为电磁铁线圈。19.如申请专利范围第17项所 记载之半导体薄膜的制造装置,其中产生上述磁场 的机构为具有预定的磁束密度之永久磁铁。20.如 申请专利范围第12项所记载之半导体薄膜的制造 装置,其中将上述半导体薄膜形成时之上述高频感 应耦合电浆的产生领域之压力设定于约510-5Torr-2 10-2Torr的范围。21.如申请专利范围第12项所记载 之半导体薄膜的制造装置,其中更包含: 至少测定上述基板的近旁之上述高频感应耦合电 浆的发光分光光谱之机构;及 测定该被测定后的发光分光光谱之来自SiH分子的 发光峰値强度[SiH],来自Si原子的发光峰値强度[Si], 及来自H原子的发光峰値强度[H]之间的相对比([Si]/ [SiH]比及[H]/[SiH]比)之机构;及 调节预定的制程参数,而使该相对比能够至少满足 ([Si]/[SiH])>1.0及([H]/[SiH])>2.0的一方关系之机构。22. 如申请专利范围第21项所记体之半导体薄膜的制 造装置,其中上述调节所需之预定的制程参数至少 为上述高频感应耦合电浆之产生领域的压力,上述 原料气体的供给流量,该原料气体的供给流量的比 ,以及上述施加高频电力的値之其中之一。图式简 单说明: 第一图系表示本发明之第1实施形态的ICPCVD装置的 构成模式概略图。 第二图系表示根据本发明而堆积之矽薄膜的光电 导率及暗电导率对形成时之基板温度的依存性。 第三图系表示根据本发明而堆积之矽薄膜的光电 导率及暗电导率对形成时之施加高频电力的依存 性。 第四图系表示本发明之第2实施形态的ICPCVD装置的 构成模式概略图。 第五图系表示一方面将基板温度设定成一定的温 度,另一方面令其他的制程参数形成种种变化,而 取得之光电导率/暗电导率的比(光一暗电导率比) 之测定资料。 第六图系表示习知技术之ECR电浆CVD装置的构成模 式概略图。 |
