| 发明名称 | 剥离剂、及其剥离方法、剥离剂循环设备及剥离剂控制装置 | ||
| 摘要 | 当制造半导体器件和液晶显示(LCD)时,从衬底上剥离抗蚀剂的剥离剂,使用剥离剂剥离抗蚀剂的剥离方法,剥离剂循环器件及剥离剂控制装置。剥离剂包括有机胺化合物、质子二醇醚化合物、非质子多极性化合物和烷基吡咯烷酮化合物,在腐蚀工艺期间低温下短时间内可以容易地剥离已经历了化学和/或物理变化的抗蚀剂层,同时几乎不腐蚀下金属线。此外,由于加热期间剥离剂蒸发很少,因此剥离剂的更换周期变长。此外,剥离剂可以容易地通过蒸发和成分补充再生。具有权利要求12所要求保护结构的剥离剂再循环设备可以容易地通过蒸发和成分补充再生废剥离剂。具有权利要求16所要求保护结构的剥离剂控制装置可以自动地控制剥离剂的组分,并自动地将剥离剂提供到剥离设备。 | ||
| 申请公布号 | CN1248730A | 申请公布日期 | 2000.03.29 |
| 申请号 | CN99119693.7 | 申请日期 | 1999.08.11 |
| 申请人 | 东进化成工业株式会社 | 发明人 | 朴祯文;吴昌一;白志钦;赵俊衍;李相大 |
| 分类号 | G03F7/42;G03F7/26 | 主分类号 | G03F7/42 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 陈季壮 |
| 主权项 | 1.一种剥离剂，包括有机胺化合物、质子二醇醚化合物、非质子多极性化合物和烷基吡咯烷酮化合物，其中有机胺化合物的含量为10～35wt％，质子二醇醚化合物和非质子多极性化合物的总含量为60～85wt％，烷基吡咯烷酮化合物的含量为0.1～5wt％，每个都以剥离剂的总重量为基础。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||