SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH CONTACT

摘要

Die Halbleitervorrichtung (100) besteht aus einem ersten Halbleitergebiet (2) eines vorgegebenen Leitungstyps, innerhalb dessen ein an eine Oberfläche (20) angrenzendes Kontaktgebiet (5) mit gleichem Leitungstyp wie der des ersten Halbleitergebiets (2) und ein vergrabenes Inselgebiet (3) mit gegenüber dem Leitungstyp mit gegenüber dem Leitungstyp des ersten Halbleitergebiets (2) entgegesetztem Leitungstyp angeordnet sind. Innerhalb des Kontaktgebiets (5) ist ein Kontaktloch (70) vorgesehen, das bis zum vergrabenen Inselgebiet (3) reicht und das der Kontaktierung desselben dient. Mit der Halbleitervorrichtung (100) lässt sich ein vom oder zum Kontaktgebiet (5) fliessender Strom (I) innerhalb eines Kanalgebiets (22) über Verarmungszonen (23, 24) beeinflussen.