具有利用半球形晶粒生长形成的叠层电极的半导体器件

摘要

半导体存储器件包括:形成在半导体基片上覆盖MOS晶体管的源/漏区的层间绝缘薄膜(13);具有第一杂质离子浓度接触源/漏区的接触薄膜(17),它沿着接触孔侧壁部分地嵌入接触孔而形成,接触孔穿过层间绝缘薄膜到达源/漏区而形成具有第二杂质离子浓度形成在接触薄膜上并完全嵌入接触孔的防结晶薄膜(16);具有不平整部分并具有第三杂质离子浓度的导电薄膜(6),它形成在层间绝缘薄膜之上的防结晶薄膜上。第一杂质离子浓度大于第二杂质离子浓度。

主权项

1.一种半导体存储器件，它包括：MOS晶体管的源/漏区，所述源/漏区形成在半导体基片上；在所述半导体基片上形成的覆盖所述源/漏区的层间绝缘薄膜；以及穿过所述层间绝缘薄膜到达所述源/漏区而形成的叠层电极段，所述叠层电极段包括嵌入所述层间绝缘薄膜的接触段和在所述层间绝缘薄膜上面的叠层段，所述叠层段具有不平整表面部分；其中，所述叠层段的所述表面部分的杂质离子浓度大于所述接触段的的内部的杂质离子浓度。