| 主权项 |
1.一种接触窗的制造方法,包括下列步骤:(a)提供一已形成二氧化矽浅沟槽隔离元件的半导体基底;(b)在该半导体基底上依序形成闸极氧化层以及复晶矽闸极;(c)在该复晶矽闸极的侧壁形成一侧壁绝缘物;(d)施以蚀刻步骤,用以去除部分露出的该浅沟槽隔离元件,而形成一凹陷部;(e)全面性形成一阻挡材料层,其填入该凹陷部;(f)回蚀刻该阻挡材料层,用以使上述填入凹陷部的阻挡材料,形成一帽舌状阻挡材料;(g)全面性在半导体基底上形成一二氧化矽层间绝缘层;以及(h)施以蚀刻步骤,选择性蚀刻该层间绝缘层,以形成一接触窗,同时,以上述帽舌状阻挡材料为遮蔽物,用以防止蚀穿该浅沟槽隔离元件。2.如申请专利范围第1项所述之接触窗的制造方法,其中该阻挡材料层系氮化矽层。3.如申请专利范围第2项所述之接触窗的制造方法,其中步骤(e)形成氮化矽之阻挡材料层之前更包括形成一氧化薄层的步骤。4.如申请专利范围第3项所述之接触窗的制造方法,其中该氧化薄层的厚度大约为50A以上。5.如申请专利范围第1项所述之接触窗的制造方法,其中该侧壁绝缘物系由二氧化矽或氮化矽所构成。6.如申请专利范围第1项所述之接触窗的制造方法,其中步骤(d)所形成之凹陷部的深度大约介于500-1000A之间。7.如申请专利范围第1项所述之接触窗的制造方法,其中步骤(d)之蚀刻步骤为湿蚀刻步骤。8.一种接触窗的制造方法,包括下列步骤:(a)提供一已形成浅沟槽隔离氧化物的半导体基底;(b)在该半导体基底上依序形成闸极氧化层以及复晶矽闸极;(c)在该复矽闸极的侧壁形成一侧壁绝缘层;(d)施以湿蚀刻步骤,用以去除部分露出的浅沟槽隔离氧化物,而形成一凹陷部;(e)全面性形成一氧化薄层;(f)在上述氧化薄层表面形成一氮化矽层,其填入该凹陷部;(g)回蚀刻该氮化矽层,用以使上述填入凹陷部的氮化矽,形成一帽舌状氮化矽;(h)全面性在半导体基底上形成一层间氧化层;以及(i)施以蚀刻步骤,选择性蚀刻该层间氧化层,以形成一接触窗,同时,以上述帽舌状氮化矽为遮蔽物,用以防止蚀穿该浅沟槽隔离氧化物。9.如申请专利范围第8项所述之接触窗的制造方法,其中步骤(e)之氧化薄层的厚度大约为50A以上。10.如申请专利范围第8项所述之接触窗的制造方法,其中步骤(d)之凹陷部的深度介于500-1000A之间。11.如申请专利范围第8项所述之接触窗的制造方法,其中步骤(c)之侧壁绝缘物系由二氧化矽或氮化矽所构成。图式简单说明:第一图A至第一图C为利用习知技术以预定蚀刻罩幕形成金属接触窗的流程剖面图,而第一图B'至第一图C'为习知技术一旦发生蚀刻罩幕对准误差时,所产生之金属接触窗的流程剖面图。第二图A至第二图E为根据本发明的第1实施例,一旦发生蚀刻罩幕对准误差时,所产生之金属接触窗的流程剖面图。第三图A至第三图E为根据本发明的第2实施例,一旦发生蚀刻罩幕对准误差时,所产生之金属接触窗的流程剖面图。 |
