| 主权项 |
1.一种奥格电子谱仪对一绝缘试片表面之定性及定量分析用方法,该方法包括下列步骤:(a)在该绝缘层上之一表面上镀覆上一预定厚度之导电层,其中,该导电层被镀覆上之厚度系至少为6埃至约50埃(A);(b)透过该导电层而将该绝缘体上之该表面之一充电引出而被释放,以避免在该绝缘层上产生充电累积;及(c)进行该试片之奥格电子谱仪分析。2.依申请专利范围第1项所述之奥格电子谱仪对一绝缘试片表面之定性及定量分析用方法,其中,该步骤(c)又包括一施加一至少3Kev之束电压之次步骤。3.依申请专利范围第1项所述之奥格电子谱仪对一绝缘试片表面之定性及定量分析用方法,其中,该导电层系由铱(Ir)所制成。4.依申请专利范围第1项所述之奥格电子谱仪对一绝缘试片表面之定性及定量分析用方法,其中,该导电层系由铬(Cr)所制成。5.依申请专利范围第1项所述之奥格电子谱仪对一绝缘试片表面之定性及定量分析用方法,其中,该导电层系由金(Au)所制成。6.依申请专利范围第1项所述之奥格电子谱仪对一绝缘试片表面之定性及定量分析用方法,其中,该步骤(a)系藉由一离子束喷溅法来实施。7.依申请专利范围第1项所述之奥格电子谱仪对一绝缘试片表面之定性及定量分析用方法,其中,该试片系为一液晶显示器用之玻璃。8.依申请专利范围第1项所述之奥格电子谱仪对一绝缘试片表面之定性及定量分析用方法,其中,该步骤(c)包括一施加至少10Kev之束电压之次步骤。9.依申请专利范围第8项所述之奥格电子谱仪对一绝缘试片表面之定性及定量分析用方法,其中,该预定厚度系为7埃。图式简单说明:第一图系根据本发明之奥格电子谱仪对一绝缘试片之分析方法之剖视图。第二图系一份奥格电子谱仪分析之资料表,其系在一玻璃上形成厚度为3埃之铱层,且一束电压(BEAMVOLTAGE)为3KV。第三图系一份奥格电子谱仪分析之资料表,其系在一玻璃上形成厚度为5埃之铱层,且一束电压为3KV。第四图系一份奥格电子谱仪分析之资料表,其系在一玻璃上形成厚度为5埃之铱层,且一束电压为10KV。第五图系一份奥格电子谱仪分析之资料表,其系在一玻璃上形成厚度为5埃之铱层,且一束电压为20KV。第六图系一份奥格电子谱仪分析之资料表,其系在一玻璃上形成厚度为7埃之铱层,且一束电压为3KV。第七图系一份奥格电子谱仪分析之资料表,其系在一玻璃上形成厚度为7埃之铱层,且一束电压为10KV。第八图系一份奥格电子谱仪分析之资料表,其系在一玻璃上形成厚度为7埃之铱层,且一束电压为20KV。 |
