发明名称 晶体拉出之方法及装置
摘要 一种拉出单晶之方法及装置之揭示。颈部部分、波状部分、及单晶皆形成于以种晶夹头所固持之种晶下方。当种晶夹头将波状部分升高至预定位置时(升高夹具可在此处固持波状部分),减慢种晶夹头之升高速度Va,将支撑种晶夹头升高机制之滑动装置以速度Vb升高以将单晶保持等速拉出。最后,由种晶夹头将晶体拉出切换至由滑动装置将晶体拉出。而后,移动机制将装设于滑动装置上之升高夹具稍微升高,升高夹具之固持晶体部分因此与波状部分相接触,且1%至50%的晶体重量移转至升高夹具上。依此方法及装置可安全及准确地生长依照如CZ法所生长之重单晶。
申请公布号 TW385340 申请公布日期 2000.03.21
申请号 TW086113513 申请日期 1997.09.18
申请人 信越半导体股份有限公司 发明人 饭野荣一;饭田诚;木村雅规;村冈正三
分类号 C30B15/20;C30B15/32 主分类号 C30B15/20
代理机构 代理人 林志刚 台北巿南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种晶体拉出方法,其包含的步骤有: 将种晶夹头固持之种晶与坩锅内之材料熔体相接 触; 升高种晶夹头使单晶生长于种晶下方; 当单晶到达预定位置时,减慢种晶夹头之拉晶速度 及升高支撑种晶夹头之滑动装置,使单晶之拉出速 度保持固定;且 由种晶夹头将晶体拉出完全切换至由滑动装置之 向上移动将晶体拉出后,以垂直方向移动设于滑动 装置上之升高夹具或至少部分之升高夹具,使升高 夹具或部分之升高夹具与晶体之预定部分相接触 且固持住此晶体之预定部分。2.如申请专利范围 第1项所述之晶体拉出方法,其中,该升高夹具与晶 体部分相接触之部分为晶体之波状部分,此波状部 分可特意形成或自然生成。3.如申请专利范围第1 项所述之晶体拉出方法,其中,当移动该升高夹具 以便使之与晶体之预定部分相接触时,1%至50%之作 用于种晶夹头之负载移转至该升高夹具。4.如申 请专利范围第2项所述之晶体拉出方法,其中,当移 动该升高夹具以便使之与晶体之预定部分相接触 时,1%至50%之作用于种晶夹头之负载移转至该升高 夹具上。5.一种晶体拉出装置,其中,将种晶夹头固 持之种晶与坩锅中之材料熔体相接触,升高种晶夹 头使单晶生长于种晶下方,而且为将由种晶夹头将 晶体拉出切换至由升高夹具将晶体拉出,使升高夹 具在拉晶过程中与单晶之部分相接触,其中该种晶 夹头及该升高夹具皆设于滑动装置上,该滑动装置 利用升高机制垂直移动,使该种晶夹头及该升高夹 具可各自分别垂直移动,且经由移动机制之使用, 整个该升高夹具或至少部分之升高夹具可相对于 该滑动装置垂直移动。图式简单说明: 第一图为一示意图,显示依照本发明之晶体拉出装 置之构造; 第二图A至第二图E为依照本发明之晶体拉出方法 之视图; 第三图之图表显示当切换本发明之晶体拉出方法 中之拉晶装置时,种晶夹头及升高夹具速度之变化 ,其中Vb为升高夹具之速度,而Va为种晶夹头相对于 升高夹具之速度; 第四图之图表显示升高夹具之另一个示范构造,其 中,组成升高夹具之成对之尖端部分可以旋转; 第五图A至第五图B显示习用之晶体拉出方法之概 念;且 第六图之图表显示当切换习用之晶体拉出方法中 之拉晶装置时,种晶夹头及升高夹具速度之变化, 其中Vb为升高夹具之速度,而Va为种晶夹头相对于 升高夹具之速度。
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