制造动态RAM之方法

摘要

首先，在隔离层上形成接触孔及开口(存取符号)。然后，再以低压化学气相沈积法(CVD)生长第一复晶矽层。待氧化矽层(用来形成圆柱状堆叠的核心)以常压CVD生长至1300nm左右时，定义核心氧化矽层及第一复晶矽层的图案。接着，再以化学机械研法将整个晶圆表面抛去9OOnm左右，用以形成一厚约400nm、且具有平坦表面的核心氧化层。应用这种方法，在去除核心氧化层时可避免产生破坏粒子。因此，产量便可以提高。

主权项

1.一种制造动态RAM之方法,其下电极具有一圆柱状 之细胞电容,包括: 在一第一隔离层中,同时形成该细胞接点部分之一 接触孔及一开口,该开口大于该接触孔; 依序生长一第一复晶矽层及一第二隔离层; 以化学机械研磨法将该第二隔离层表面平坦化; 定义该第一复晶矽层及该第二隔离层以覆盖该接 触孔部分及该开口部分; 生长一第二复晶矽层; 以非等向蚀刻去除一平坦部分之该第二复晶矽层; 以及 以化学液体去除该第一复晶矽层上之第二复晶矽 层,藉以形成圆柱状之下电极。2.如申请专利范围 第1项所述制造动态RAM之方法,其中,该开口基本上 系用于半导体制造,包括对准在内。3.如申请专利 范围第1项所述制造动态RAM之方法,其中,该第二隔 离层系一氧化矽层。4.如申请专利范围第1项所述 制造动态RAM之方法,其中,该第二隔离层系一包括 硼、磷之矽酸盐玻璃。5.如申请专利范围第1项所 述制造动态RAM之方法,其中,该化学溶液系一包括 氢氟酸之蚀刻溶液。图式简单说明: 第一图A-第一图G系习知具有圆柱堆叠的DRAM之制造 方法的流程剖面图;以及 第二图A-第二图H系根据本发明实施例之DRAM的制造 方法的流程剖面图。