Process for forming a doped region through diffusion in a memory structure

摘要

Es wird Verfahren zum Herstellen eines Dotierungsgebiets vorgeschlagen, das folgende Schritte umfaßt: Bereitstellen eines Halbleitersubstrats (15), das eine Oberfläche (35) aufweist; Aufbringen einer elektrisch isolierenden Zwischenschicht (40, 70) auf die Oberfläche; Aufbringen einer dotierten Halbleiterschicht (50, 75) auf die elektrisch isolierende Zwischenschicht (40, 70), wobei die Halbleiterschicht (50, 75) einen ersten Leitungstyp aufweist und einen Dotierstoff vom ersten Leitungstyp enthält; Temperieren des Halbleitersubstrats (15) bei einer vorgegebenen Diffusionstemperatur, so daß der Dotierstoff teilweise aus der Halbleiterschicht (50, 75) durch die Zwischenschicht (40, 70) hindurch in das Halbleitersubstrat (15) diffundiert und dort ein Dotierungsgebiet (55, 80) vom ersten Leitungstyp bildet; Verändern der elektrischen Leitfähigkeit der Zwischenschicht (40, 70), so daß durch die Zwischenschicht (40, 70) hindurch ein elektrischer Kontakt zwischen dem Halbleitersubstrat (15) und der Halbleiterschicht (50, 70) entsteht.