Verfahren zum Herstellen einer Speicherzelle

摘要

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Speicherzelle aus wenigstens einem Auswahltransistor und einem Speicherkondensator mit einem Hochepsilon- oder ferroelektrischem Dielektrikum (11), bei der der Auswahltransistor in einer ersten Ebene und der Speicherkondensator in einer zweiten Ebene in bzw. über einem Halbleiterkörper (1) angeordnet sind, wobei die erste Ebene mit der zweiten Ebene elektrisch durch einen ersten Plug (6) aus Silizium verbunden ist, an den sich ein zweiter Plug (13) aus Silizium anschließt, der mit einer Speicherknotenelektrode des Speicherkondensators elektrisch verbunden ist. Der erste Plug (6) steht dabei in direkter Verbindung mit dem zweiten Plug (13). Bei diesem Verfahren wird der erste Plug (6) während Temperprozessen für das Hochepsilon- oder ferroelektrische Dielektrikum (11) durch eine als Platzhalter dienende Siliziumnitridschicht (10) geschützt, die später durch das Silizium für den zweiten Plug (13) ersetzt wird.