| 发明名称 |
FOREIGN SUBSTANCE REMOVAL METHOD FOR DRY ETCHING APPARATUS FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
KR100249387(B1) |
申请公布日期 |
2000.03.15 |
| 申请号 |
KR19970065126 |
申请日期 |
1997.12.02 |
| 申请人 |
HYUNDAI MICRO ELECTRONICS CO.,LTD. |
发明人 |
KIM, HAE DONG |
| 分类号 |
H01L21/306;(IPC1-7):H01L21/306 |
主分类号 |
H01L21/306 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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