Halbleiterspeicherbauelement

摘要

Die Erfindung bezieht sich auf ein Halbleiterspeicherbauelement mit einem Speicherzellenfeld (31), einem ersten Anschluß (DQ), einem Dateneingabepuffer (33) zum Puffern der über den ersten Anschluß empfangenen Daten und Übertragen der gepufferten Daten zum Speicherzellenfeld synchron mit einem ersten Taktsignal (CLK1) sowie mit einem ersten Datenausgabepuffer (35) zum Puffern der aus dem Speicherzellenfeld abgegebenen Daten und Übertragen der gepufferten Daten über den ersten Anschluß nach außen synchron mit dem ersten Taktsignal. DOLLAR A Erfindungsgemäß sind ein zweiter Anschluß (SDQ) und ein zweiter Datenausgabepuffer (37) zum Puffern von aus dem Speicherzellenfeld abgegebenen Daten und Abgeben der gepufferten Daten über den zweiten Anschluß nach außen synchron mit einem zweiten Taktsignal (CLK2) vorgesehen. DOLLAR A Verwendung z. B. für Grafikspeicherbauelemente mit hoher Betriebsgeschwindigkeit.