| 主权项 |
1.一种雷射二极体组件,其系由一个半导体(1)固定于一有冷却体(12)之吸热装置上,其间半导体(1)与冷却体(12)之热膨胀系收间差别甚大,其特征在于:在半导体(1)与冷却体(12)间设置一能导电及传热的第一接合片(3),其构成材料之热膨胀系数与半导体(1)之材料相近。2.如申请专利范围第1项之雷射二极体组件,其中半导体(1)是用硬焊剂固着于第一接合片(3)上。3.如申请专利范围第1或第2项之雷射二极体组件,其中冷却体(12)固着于第一接合片(3)上。4.如申请专利范围第1或第2项之雷射二极体组件,其中第一接合片(3)同时用作对半导体(1)的第一电性接通面,而且成为冷却体(12)的热连接面。5.如申请专利范围第3项之雷射二极体组件,其中第一接合片(3)同时用作对半导体(1)的第一电性接通面,而且成为冷却体(12)的热连接面。6.如申请专利范围第1或第2项之雷射二极体组件,其中半导体(1)固着于第二接合片(14)上,第二接合片(14)系作为半导体(1)的第二电性接通面。7.如申请专利范围第4项之雷射二极体组件,其中半导体(1)固着于第二接合片(14)上,第二接合片(14)系作为半导体(1)的第二电性接通面。8.如申请专利范围第5项之雷射二极体组件,其中两个接合片(3,14)装置于半导体(1)之相对两侧。9.如申请专利范围第5项之雷射二极体组件,其中第二接合片(14)之材料的热膨胀系收与第一接合片(3)之材料相近似。10.如申请专利范围第1或第2项之雷射二极体组件,其中半导体(1)主要为具有GaAs,AlGaAs及/或InAlGaAs,而冷却体(12)具有钻石,矽或铜且接合片(3)具有钼或钨。11.如申请专利范围第1或第2项之雷射二极体组件,其中接合片(3)用一结合层(2)固着于半导体(1)上,结合层(2)为由Ti-Pt-AuSn所成之层序列。12.一种多个雷射二极体组件之制造方法,此处之雷射二极体组件是指申请专利范围第6至11项中任一项所述者,其特征在于具备下列步骤:a)固定多个半导体(1)于第一导带(21)上,该导带由接合片(3)之材料制成。b)固定一由第二接合片(14)之材料所制成之第二导带(24)于多个半导体(1)上,c)将由两导带(21,24)与多个半导体(1)所组合拆开成单一之雷射二极体或雷射二极体的阵列,及d)涂布镜面层(10,11)于半导体(1)之相对两侧面(8,9)上。13.一种多个雷射二极体组件之制造方法,此处之雷射二极体组件是指申请专利范围第6至11项中任一项所述者,其特征在于:重复下列方法步骤:a)固定第一半导体(1)于导带(32)上,该导带由接合片(3)之材料制成;b)在靠近第一半导体(1)之处横切导带(32),c)将自第一半导体(1)分离之导带(32)之一部份改变形状,使该已被分离之导带部份之部份区域(38)之下侧放置于第一半导体(1)上侧(13)之高度内,d)固定导带(32)之部份区域(38)于第一半导体(1)之上侧(13),e)固定第二半导体(1)于导带(32)上已与第一半导体(1)分离部份之上。f)将第一与第二半导体(1)之间的导带(32)拆开,或于各由多个串联半导体(1)构成之单一群组之间在制造雷射二极体阵列时将导带(32)拆开。图式简单说明:第一图表示实施例中剖面之图解。第二图a至第二图e为制造依据本发明多个雷射二极体组件之第一制法之图解。第三图a至第三图b为制造依据本发明多个雷射二极体组件之第二制法之图解。 |
