| 发明名称 | 真空管用接点材料及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的真空管用接点材料由导电成分、耐弧成形与Cr或Zr构成,所说的导电成分含量为50～70重量%,其主成分为Cu;所说的耐弧成分由TiC和VC二者中的至少一方构成,其平均粒径在8μm以下,其含量为30—50重量%;所说Cr含量相当于Cr和Cu总量的0.2～2.0重量%,或者,所说Zr含量相当于Zr和Cu总量的0.2—2.0重量%。材料中的氢含量规定为0.2～50ppm。 | ||
| 申请公布号 | CN1245963A | 申请公布日期 | 2000.03.01 |
| 申请号 | CN99118067.4 | 申请日期 | 1999.08.23 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 山本敦史;草野贵史;奥富功;关经世;片冈诚 |
| 分类号 | H01H1/02;H01H33/66 | 主分类号 | H01H1/02 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 杨宏军 |
| 主权项 | 1.一种真空管用接点材料，它由导电成分、耐弧成分与Cr或Zr构成，所说的导电成分含量为50～70重量％，其主要成分为Cu；所说的耐弧成分由TiC和VC二者中的至少一方构成，其平均粒径在8μm以下，其含量为30～50重量％；所说Cr含量相当于Cr和Cu总量的0.2～2.0重量％，或者，所说Zr含量相当于Zr和Cu总量的0.2～2.0重量％；其中氢的含量为0.2～50ppm。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||