发明名称 制备类金刚石薄膜的电化学沉积方法及其装置
摘要 一种制备类金刚石薄膜的电化学沉积方法及其装置,该装置包括容纳无水甲醇的沉积池、高频脉冲直流高压电源、高纯石墨阳极、温控计、磁力加热搅拌器、输液泵、调节阀、蓄池、输液管及装有分子筛吸附剂的色谱柱,阴极为待镀的Si片,极间距离为10mm,极间施加1000~2000V高频脉冲直流高压,脉冲频率5~10KHz,占空比80%,高纯无水甲醇为电沉积液体,沉积温度50~60℃;这种薄膜的制备设备简单,反应条件易控制,基片选择范围宽,成膜均匀性好,应用前景好。
申请公布号 CN1049931C 申请公布日期 2000.03.01
申请号 CN97111993.7 申请日期 1997.07.10
申请人 北京理工大学 发明人 汪浩;朱鹤孙
分类号 C25D9/08;C25D17/00 主分类号 C25D9/08
代理机构 北京理工大学专利代理事务所 代理人 付雷杰
主权项 1.一种制备类金刚石薄膜的电化学沉积方法,其特征在于沉积前,作为基片的Si片先放在氢氟酸溶液中浸泡30分钟,以去除表面的SiO2之类氧化物,然后在甲醇液体中用超声波处理20分钟,去除表面的杂质;采用高纯石墨作为阳极,阴极为待镀的Si片,极间距离为10mm,极间施加1000~2000V高频脉冲直流高压,脉冲频率5~10KHz,占空比80%,高纯的无水甲醇为电沉积液体,沉积温度50~60℃,将沉积过程中产生的水用色谱柱中的分子筛吸附,所得的无水甲醇再通过输液泵送回沉积池。
地址 100081北京市海淀区白石桥路7号