METHOD FOR MEASURING THE TEMPERATURE OF A POWER SEMICONDUCTOR AND COMPONENT WITH SUCH A SEMICONDUCTOR

摘要

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Erfassen der Betriebstemperatur von einem Leistungshalbleiter (1), der mindestens eine Sperrzone mit einer hohen Betriebstemperatur umfasst, das eine hohe Ansprechgeschwindigkeit hat, sowie ein Bauelement mit einem Leistungshalbleiter (1), der mindestens eine Sperrzone mit einer hohen Betriebstemperatur umfasst. Um die Betriebstemperatur des Leistungshalbleiters zuverlässig und schnell zu ermitteln, wird vorgeschlagen, die Temperatur unmittelbar an der Sperrzone mit einer hohen Betriebstemperatur des Leistungshalbleiters (1) zu erfassen. Dazu wird ein temperaturempfindliches Element (2, 6) unmittelbar an der Sperrzone mit einer hohen Betriebstemperatur angeordnet.