| 主权项 |
1.一种使用于散热用材料之金属粉末烧结体,其特征为该烧结体之金属组成含钨或钼之至少1种,及2-50wt%之银。2.如申请专利范围第1项所载之烧结体,并含有10wt%以下之过渡金属者。3.如申请专利范围第2项所载之烧结体,前述过渡金属之外另含有铁、镍、钴之中至少1种者。4.如申请专利范围第3项所载之烧结体,并含有磷者。5.如申请专利范围第1项所载之烧结体,其前述银之一半以下由铜所取代者。6.如申请专利范围第1项所载之烧结体,其温度20℃时之热传导率为140Wm-1k-1以上者。7.如申请专利范围第1项所载之烧结体,其热膨胀系数为1210-6k-1以下者。8.如申请专利范围第1项所载之烧结体,其空洞率为10%以下者。9.如申请专利范围第1项所载之烧结体,使用于半导体晶片冷卸用散热座者。10.如申请专利范围第1项所载之烧结体,含有与发热体之接触面,且其面上形成覆膜层者。11.如申请专利范围第10项所载之烧结体,其前述覆膜层之功能为得到与前述发热体粘着之功能或辅助该功能者。12.如申请专利范围第10项所载之烧结体,其前述覆膜层为电镀膜者。13.如申请专利范围第12项所载之烧结体,其前述电镀膜为银或银系合金者。14.一种烧结体之制造方法,其特征为该制造方法包含以金属射出成形法制造射出成形体(green body)之第1工序、及对前述射出成形体施以脱脂处理得到脱脂体(brown body)之第2工序、及加热以烧结前述脱脂体之第3工序,由实施前述各工序制造含钨或钼之至少1种及2-50wt%银之金属组成之烧结体。15.如申请专利范围第14项所载之烧结体制造方法,其前述烧结体另含有10wt%以下之过渡金属者。16.如申请专利范围第15项所载之烧结体制造方法,其前述过渡金属为铁、镍、钴之中之至少1种者。17.如申请专利范围第16项所载之烧结体制造方法,其前述烧结体中另含有磷者。18.如申请专利范围第14项所载之烧结体制造方法,其前述烧结体中前述银之一半以下为铜所取代者。19.如申请专利范围第14项所载之烧结体制造方法,其前述脱脂处理之操作条件为温度100-750℃,0.5-40小时者。20.如申请专利范围第14项所载之烧结体制造方法,其前述第3工序中之烧结时间为10小时以下者。21.如申请专利范围第14项所载之烧结体制造方法,其前述烧结是在不含氢之非氧化空间中进行者。22.如申请专利范围第14项所载之烧结体制造方法,其第3工序得到之烧结体,含有与发热体接触面,且含有第42序对至少在烧结体与前述发热体连接之面上施以表面处理者。23.如申请专利范围第22项所载之烧结体制造方法,其前述表面处理为电镀膜处理者。24.如申请专利范围第22项所载之烧结体制造方法,其前述表面处理为镀银或镀银系合金之电镀处理者。图式简单说明:第一图所示为本发明之烧结体实施例之平面图。第二图为第一图中之II-II线剖面图。第三图为第二图之部份放大剖面图。第四图所示为散热座装在IC包装的状态之剖面侧面图。 |
