| 主权项 |
1.一种光电感应器元件,包含:一具有预设导通型之第一半导体层(2)及一具有不同半导体导通之第二层(3);一转换区域,介于该两半导体层之间;至少一表面区域(6,6')于该辐射侧之上,经由该表面该予以检测之电磁辐射可以被入射至该转换区域;及两电极(10,11)均具有一接点(10a,11a),该接点安装在相对于在辐射侧上之表面区或(6,6')之元件(1)之一表面(7,7')上,用以连接该两半导体层(2,3)至一电路;接点之一(11a)以一连接元件(22,25)而连接第二半导体层(3)且其和第二半导体层(3)具有相同的导通型式,其特征在于该半导体连接元件(22,25)在第二层(3)和其电极(11)间形成单一导通连接。2.如申请专利范围第1项所述之元件,其中该第一半导体层(2)之导通类型系n型,以及,该第二半导体层(3)之导通类型是p型,且半导体连接元件(22,25)为p型。3.如申请专利范围第1项所述之元件,其中该半导体元件(22,25)系藉由一另一相同导通类型之半导体区域(24,27)包围在该辐射侧之辐射侧表面区域(6)之相反端。4.如申请专利范围第1至3项所述之元件,其中该元件(1)中,数个半导体元件(22,25)由第二层(3)延伸至该元件(1)之表面(7),该表面(7)系相反于该辐射侧之表面区域(6)。5.如申请专利范围第1项所述之元件,其中至少一通路(21)由第二层(3)延伸至元件(1)之表面(7),该表面(7)系相反于辐射侧之表面区域(6),和包围该通路(21)之元件(1)之一区域(22)系相同于第二层(3)之导通类型。6.如申请专利范围第5项所述之元件,其中该通路(21)是形成圆柱型且具有10至150微米直径,并被第二层(3)之导通型之中空圆柱区域(22)所包围。7.如申请专利范围第1项所述之元件,其中至少一半导体通道(25)由第二层(3)延伸至元件(1)之表面,该表面(7)系相反于在辐射侧上之表面区域(6),其具有相同于第二层(3)之导通类型。8.如申请专利范围第7项所述之元件,其中该通道(25)系形成一具有10至150微米直径之圆柱通道。9.如申请专利范围第8项所述之元件,其中该通道(25)具有一30至80微米之直径。10.如申请专利范围第1项所述之元件,其中第二半导体层(3)至少延伸达在辐射侧上之元件之表面之一侧缘(12,12')。11.如申请专利范围第1项所述之元件,其中该第二半导体层(3)之厚度(d)是少于该予以检测之辐射入射深度,且在辐射侧上之表面区域(6)至少部份由第二半导体层(3)形成。12.如申请专利范围第1项所述之元件,其中该第一半导体层(2)由一具有带隙之材料构成,该带隙大到足以使欲检测之辐射(18)可以通过该相对于第二半导体层(3)之元件(1)之表面(7)进入转换区域(4)。13.如申请专利范围第1项所述之元件,其中该元件具有,或和其它元件(1)形成至少两独立的转换区域(4),藉此,每个转换区域(4)和辐射侧表面区域(6)相连接,且接点(10,11)之位置(10a,11a)沿一平面安排。14.如申请专利范围第13项所述之元件,其中提供有转换区域(4)之规则阵列。15.如申请专利范围第1项所述之元件,其中该两层(2,3)之电极(10,11)系安装在元件(1)之表面(7,7'),该表面系由半导体层(2,3)本身之一所界定。16.如申请专利范围第15项所述之元件,其中该层(2,3)之接点(10a,11a)由一焊料构成。17.如申请专利范围第16项所述之元件,其中该层(2,3)之接点(10a,11a)可以导电性地被黏着,以及,其镀锌连接可以以一元件载器由感电黏剂加以完成之材料构成。18.如申请专利范围第15项所述之元件,其中该层(2,3)之接点(10a,11a)可以线结合之材料构成。19.如申请专利范围第16至18项所述之元件,其中该层(2,3)之接点(10a,11a)可以是焊接及线结合,并导电性黏着之材料构成。图式简单说明:第一图示出依据本发明之光电感应器元件之一实施例,其中,一中空圆柱半导连接单元由元件之前面延伸至后面;第二图示出一由元件前至后之圆柱半导体连接单元之实施例;第三图示出由元件前面延伸至后面之金属连接单元之一实施例;第四图示出一实施例,其中两由一晶片所导通连接之P型半导体层;及第五图示出一实施例,其系以用于经由该被提供有一凹槽之半导体层辐射光线。 |
