| 主权项 |
1. 一种高速乙太网路卡控制器用之双运作电压单 晶 片,系包含有一10Mbps实体层模组、一100Mbps 实体层模组、一介质存取控制模组、一PCI/CardBus 介面,及一个以上的双向电压调变单元,其中上述10 M bps 实体层模组、介质存取控制模组、及PCI/ CardBus介面,以第一电压位准作为运作电压,而100 Mbps实体层模组是以第二电压位准作为运作电压。 2. 如申请专利范围第1项所述之高速乙太网路卡控 制 器用之双运作电压单晶片,其中该双向电压调变单 元系电 气连接于上述10Mbps实体层模组及100Mbps 实体 层模组之间。3. 如申请专利范围第1项所述之高速 乙太网路卡控制 器用之双运作电压单晶片,其中该双向电压调变单 元系电 气连接于上述100Mbps 实体层模组及介质存取控制 模 组之间。4. 如申请专利范围第2项或第3项所述之 高速乙太网 路卡控制器用之双运作电压单晶片,其中该双向电 压调变 单元系由一电压调升转换器及一电压调降转换器 所构成。5.如申请专利范围第4项所述之高速乙太 网路卡控制器 用之双运作电压单晶片,其中该电压调升转换器系 为一将 第一电压位准讯号调升为第二电压位准讯号的电 压调升转 换器。6.如申请专利范围第4项所述之高速乙太网 路卡控制器 用之双运作电压单晶片,其中该电压调降转换器系 为一将 第二电压位准讯号调降为第一电压位准讯号的电 压调降转 换器。7. 如申请专利范围第1项或第5项或第6项所 述之高 速乙太网路卡控制器用之双运作电压单晶片,其中 该第一 电压位准系为3.3伏特。8. 如申请专利范围第1项或 第5项或第6项所述之高 速乙太网路卡控制器用之双运作电压单晶片,其中 该第二 电压位准系为5伏特。 |
